[發明專利]一種等離子體射頻調節方法及等離子處理裝置有效
| 申請號: | 201711497750.4 | 申請日: | 2017-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN109994360B | 公開(公告)日: | 2021-06-01 |
| 發明(設計)人: | 葉如彬;涂樂義;徐蕾;梁潔 | 申請(專利權)人: | 中微半導體設備(上海)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01J37/32 | 分類號: | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 朱成之 |
| 地址: | 201201 上海市浦東新*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 等離子體 射頻 調節 方法 等離子 處理 裝置 | ||
1.一種等離子體射頻調節方法,所述調節方法通過一射頻功率發生器進行,所述射頻功率發生器包括一自動調頻裝置,所述調節方法包括如下步驟:
所述射頻功率發生器輸出一脈沖射頻周期信號;
設置若干個連續射頻調節區間,每個射頻調節區間包括至少一個脈沖射頻周期;
所述自動調頻裝置在每個所述射頻調節區間內進行至少一次自動調頻,每個所述射頻調節區間包括一開始頻率和一結束頻率,每一射頻調節區間的開始頻率為前一射頻調節區間的結束頻率,第一射頻調節區間的開始頻率為預設頻率;
所述自動調頻方法為:賦予所述射頻功率發生器一預設頻率,對應獲得第一反射功率,將預設頻率增加一步長賦予所述射頻功率發生器,對應獲得第二反射功率,比較所述第一反射功率和第二反射功率,若第二反射功率大于所述第一反射功率,則向相反方向增加步長,若第二反射功率小于第一反射功率,則繼續將預設頻率增加兩個步長賦予所述射頻功率發生器,調節得到更小的反射功率。
2.如權利要求1所述的調節方法,其特征在于,所述開始頻率包括一開始高電平頻率和一開始低電平頻率,所述結束頻率包括一結束高電平頻率和一結束低電平頻率。
3.如權利要求1所述的調節方法,其特征在于,所述預設頻率為能夠保證等離子體點燃的頻率。
4.如權利要求1所述的調節方法,其特征在于,所述預設頻率的獲得方法為:設置射頻功率源輸出連續射頻功率信號,并計算獲得連續射頻輸出階段最小反射功率,將該最小反射功率對應的頻率作為預設頻率。
5.如權利要求1所述的調節方法,其特征在于:所述每個射頻調節區間包括至少兩個脈沖射頻周期,所述自動調頻裝置在每個脈沖射頻周期內進行若干次自動調頻。
6.如權利要求5所述的調節方法,其特征在于:所述自動調頻裝置在同一射頻調節區間的不同脈沖射頻周期內具有相同的開始頻率和結束頻率。
7.如權利要求5所述的調節方法,其特征在于:所述自動調頻裝置在同一射頻調節區間的不同脈沖射頻周期內具有相同的開始頻率和不同的結束頻率。
8.如權利要求1所述的調節方法,其特征在于:所述射頻調節區間的時間通過一控制器進行設定。
9.如權利要求8所述的調節方法,其特征在于:所述控制器讀取所述自動調頻裝置的結束頻率并將該結束頻率作為下一個射頻調節區間的開始頻率賦予所述自動調頻裝置。
10.如權利要求8所述的調節方法,其特征在于:所述控制器設置一反射功率閾值,當所述自動調頻裝置查找到的反射功率低于所述反射功率閾值時,調頻過程停止。
11.如權利要求1所述的調節方法,其特征在于:所述射頻調節區間的時長大于等于1毫秒。
12.如權利要求11所述的調節方法,其特征在于:所述射頻調節區間的時長為10毫秒。
13.如權利要求11所述的調節方法,其特征在于:所述射頻調節區間的時長為50毫秒。
14.如權利要求11所述的調節方法,其特征在于:所述射頻調節區間的時長為100毫秒。
15.如權利要求11所述的調節方法,其特征在于:所述射頻調節區間的時長為150毫秒。
16.如權利要求11所述的調節方法,其特征在于:所述射頻調節區間的時長為200毫秒。
17.如權利要求1所述的調節方法,其特征在于:所述自動調頻裝置的調頻時間大于等于0.1微秒。
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