[發明專利]改變抗體對抗原的親和性的方法及該親和性被改變的抗體在審
| 申請號： | 201711497658.8 | 申請日： | 2017-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN108250294A | 公開（公告）日： | 2018-07-06 |
| 發明（設計）人： | 前田真吾;福永淳 | 申請（專利權）人： | 希森美康株式會社 |
| 主分類號： | C07K16/28 | 分類號： | C07K16/28;C07K16/26;C07K16/40;C07K16/08 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人： | 鄭天松 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 抗體 親和性 抗原 互補性決定區域 氨基酸殘基 氨基酸序列 荷電氨基酸 殘基取代 框架區域 電特性 對抗 制造 | ||
1.控制抗體對于抗原的親和性的方法，其中在基于互補性決定區域(CDR)的氨基酸序列的CDR的電特性是中性或負電荷的抗體中，將根據Chothia法定義的框架區域3(FR3)的至少3個氨基酸殘基用荷電氨基酸殘基取代。
2.權利要求1所述的方法，其中在上述CDR的電特性是中性的抗體中，通過將FR3的至少3個氨基酸殘基用酸性氨基酸殘基取代，使抗體對于抗原的親和性與未改變的抗體比降低。
3.權利要求1或2所述的方法，其中在上述CDR的電特性是中性的抗體中，通過將FR3的至少3個氨基酸殘基用堿性氨基酸殘基取代，使抗體對于抗原的親和性與未改變的抗體比提高。
4.權利要求1～3之任一項所述的方法，其中在上述CDR的電特性是負電荷的抗體中，通過將FR3的至少3個氨基酸殘基用酸性氨基酸殘基取代，使抗體對于抗原的親和性與未改變的抗體比降低。
5.權利要求1～4之任一項所述的方法，其中上述FR3是輕鏈的FR3。
6.權利要求1～5之任一項所述的方法，其中上述CDR的電特性由以下的式(I)確定。
X＝[CDR的氨基酸序列中的堿性氨基酸殘基的數]-[CDR的氨基酸序列中的酸性氨基酸殘基的數]…(I)
式中，
當X是-1、0或1時，CDR的電特性是中性，
當X是2以上時，CDR的電特性是正電荷，
當X是-2以下時，CDR的電特性是負電荷。
7.權利要求1～6之任一項所述的方法，其中上述至少3個氨基酸殘基選自上述根據Chothia法定義的
輕鏈的FR3的第53～81位的氨基酸殘基、或
重鏈的FR3的第56～88位的氨基酸殘基。
8.權利要求1～7之任一項所述的方法，其中上述抗體是抗體片段的形態。
9.權利要求8所述的方法，其中上述抗體片段是Fab片段。
10.對于抗原的親和性發生改變的抗體的制造方法，其包括：
在基于互補性決定區域(CDR)的氨基酸序列的CDR的電特性是中性或負電荷的抗體中，將根據Chothia法定義的框架區域3(FR3)的至少3個氨基酸殘基用荷電氨基酸殘基取代的工序，及
回收在上述取代工序中得到的抗體的工序。
11.權利要求10所述的方法，其中上述取代工序是：
在上述CDR的電特性是中性的抗體中，將上述FR3的至少3個氨基酸殘基用酸性氨基酸殘基取代，使抗體對于抗原的親和性與未改變的抗體比降低的工序、
在上述CDR的電特性是中性的抗體中，將上述FR3的至少3個氨基酸殘基用堿性氨基酸殘基取代，使抗體對于抗原的親和性與未改變的抗體比提高的工序、或者
在上述CDR的電特性是負電荷的抗體中，將上述FR3的至少3個氨基酸殘基用酸性氨基酸殘基取代，使抗體對于抗原的親和性與未改變的抗體比降低的工序。
12.權利要求10或11所述的方法，其中在確定上述電特性的工序中，CDR的電特性由以下的式(I)確定。
X＝[CDR的氨基酸序列中的堿性氨基酸殘基的數]-[CDR的氨基酸序列中的酸性氨基酸殘基的數]…(I)
式中，
當X是-1、0或1時，CDR的電特性是中性，
當X是2以上時，CDR的電特性是正電荷，
當X是-2以下時，CDR的電特性是負電荷。
13.權利要求10～12之任一項所述的方法，其中上述FR3是輕鏈的FR3。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于希森美康株式會社，未經希森美康株式會社許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711497658.8/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
