[發(fā)明專利]一種激光粉塵傳感器及粉塵濃度采樣校零式測(cè)量方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711496220.8 | 申請(qǐng)日: | 2017-12-31 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108169089A | 公開(公告)日: | 2018-06-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃健;雷開躍;李俊杰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 湖北興業(yè)華德威安全信息技術(shù)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01N15/06 | 分類號(hào): | G01N15/06;G01N21/51 |
| 代理公司: | 武漢帥丞知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 42220 | 代理人: | 朱必武 |
| 地址: | 436070 湖北省鄂*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 采集 粉塵 傳感器 測(cè)量 激光粉塵 激光照射 采樣 校零 電路元件參數(shù) 粉塵傳感器 準(zhǔn)確度 暗室結(jié)構(gòu) 激光散射 實(shí)時(shí)校正 校準(zhǔn) 光照射 無(wú)粉塵 無(wú)光 照射 檢測(cè) | ||
1.一種激光粉塵濃度采樣校零式測(cè)量方法,其特征在于:在一段時(shí)間內(nèi)分光開啟和光關(guān)閉兩個(gè)時(shí)段進(jìn)行采集,包括以下步驟:
步驟一:在光開啟時(shí)段內(nèi),MCU單元控制激光發(fā)射二極管發(fā)光,MCU單元采集硅光二極管信號(hào)為實(shí)時(shí)環(huán)境粉塵濃度采集初值PM1;
步驟二:在光關(guān)閉時(shí)段內(nèi),MCU單元關(guān)閉激光發(fā)射二極管,MCU單元在關(guān)閉激光發(fā)射二極管采集的硅光二極管信號(hào)為標(biāo)零值PM0;
步驟三:根據(jù)步驟二得出的無(wú)粉塵零值與步驟一的實(shí)時(shí)環(huán)境粉塵濃度采集初值做比較,矯正基準(zhǔn)零值,得出實(shí)時(shí)環(huán)境粉塵濃度采集值PM=PM1-PM0。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光粉塵濃度采樣校零式測(cè)量方法,其特征在于:所述的一段時(shí)間為1s中,其中光開啟時(shí)段為900ms,光關(guān)閉時(shí)段為100m。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光粉塵濃度采樣校零式測(cè)量方法,其特征在于:所述的一段時(shí)間為1s中,其中光開啟時(shí)段為800ms,光關(guān)閉時(shí)段為200ms。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光粉塵濃度采樣校零式測(cè)量方法,其特征在于:所述的一段時(shí)間為0.5s中,其中光開啟時(shí)段為400ms,光關(guān)閉時(shí)段為100ms。
5.一種激光粉塵傳感器,包括MCU單元、控制電路、轉(zhuǎn)換電路、激光發(fā)射二極管和硅光二極管,MCU單元通過控制電路激光發(fā)射二極管連接和通過轉(zhuǎn)換電路板與和硅光二極管連接,激光發(fā)射二極管和硅光二極管設(shè)置于采集暗室內(nèi),激光發(fā)射二極管發(fā)射光束與硅光二極管接受面垂直不在同一水平面,其特征在于:在1s時(shí)間內(nèi),MCU單元控制激光發(fā)射二極管通電開啟發(fā)光狀態(tài)900ms,控制激光發(fā)射二極管關(guān)閉100ms;MCU單元將激光發(fā)射二極管關(guān)閉時(shí)采集的電信號(hào)值認(rèn)為是無(wú)粉塵零值PM0;MCU單元將激光發(fā)射二極管通電開啟發(fā)光狀態(tài)時(shí)的電信號(hào)值認(rèn)為是采集初值PM1;將采集初值PM1與無(wú)粉塵零值PM0在MCU程序處理邏輯進(jìn)行比較得到實(shí)時(shí)環(huán)境粉塵濃度采集值PM。
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