[發明專利]稀磁半導體及其制備方法

有效

• 申請號: 201711493907.6
• 申請日: 2017-12-31
• 公開（公告）號: CN108190941B
• 公開（公告）日: 2020-05-12
• 發明（設計）人: 韓愛文
• 申請（專利權）人: 樂清海創智能科技有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種稀磁半導體的制備方法，其特征在于：所述制備方法包括如下步驟：

制備復合氧化銦靶材，所述復合氧化銦靶材的分子式為（In_1-x-y-zFe_xCo_yGd_z）₂O₃，其中，x=0.02-0.04，y=0.01-0.02，z=0.01-0.02；

提供氧化鋁基片，并對所述氧化鋁基片進行清洗和拋光，得到第一氧化鋁基片；

將所述第一氧化鋁基片放入真空室進行預濺射，得到第二氧化鋁基片；

利用脈沖激光沉積方法，在所述第二氧化鋁基片上沉積氧化銅薄膜，得到第一復合氧化鋁基片；

利用脈沖激光沉積方法，在所述第一復合氧化鋁基片上沉積氧化亞銅薄膜，得到第二復合氧化鋁基片；

利用脈沖激光沉積方法，在所述第二復合氧化鋁基片上沉積鐵鈷釓摻雜的氧化銦薄膜;

其中，制備復合氧化銦靶材的具體工藝為：

以In₂O₃、Fe₂O₃、Gd₂O₃以及CoO為原料，按照所述分子式對所述原料進行重量配比；

對配比之后的各原料進行研磨，并對研磨之后的原料進行真空預燒結，所述真空預燒結工藝為：燒結溫度為800-900℃，燒結時間為5-10h；

對真空預燒結之后的粉末進行第二研磨；

對第二研磨之后的粉末進行真空燒結，所述真空燒結工藝為：燒結溫度為1150-1200℃，燒結時間為13-15h；

其中，沉積氧化銅薄膜的具體工藝為：

以氧化銅燒結靶為濺射靶材，所述第二氧化鋁基片溫度為300-400℃，激光能量為100-200mJ/脈沖，激光頻率為10-20Hz；

其中，沉積氧化亞銅薄膜的具體工藝為：

以氧化銅燒結靶為濺射靶材，所述第一復合氧化鋁基片溫度為400-500℃，激光能量為100-200mJ/脈沖，激光頻率為10-20Hz；

其中，沉積鐵鈷釓摻雜的氧化銦薄膜的具體工藝為：

以所述復合氧化銦靶材為濺射靶材，所述第二復合氧化鋁基片溫度為600-650℃，激光能量為300-400mJ/脈沖，激光頻率為15-25Hz；

其中，所述氧化銅薄膜厚度為15-20nm；

其中，所述氧化亞銅薄膜厚度為10-15nm；

其中，所述鐵鈷釓摻雜的氧化銦薄膜厚度為25-35nm。

2.一種稀磁半導體，所述稀磁半導體由下到上依次包括：氧化鋁基片、氧化銅層、氧化亞銅層以及鐵鈷釓摻雜的氧化銦層，其特征在于：所述稀磁半導體是由如權利要求1所述的制備方法制備的。