[發明專利]功率放大裝置和微波電路

在審

• 申請號: 201711491635.6
• 申請日: 2017-12-30
• 公開（公告）號: CN108111134A
• 公開（公告）日: 2018-06-01
• 發明（設計）人: 汪江濤;蔡道民;董毅敏;高學邦
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: H03F1/56
• 分類號: H03F1/56;H03F3/21
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所 13120
• 代理人: 王麗巧

1.一種功率放大裝置，包括第一輸入端和第一輸出端，其特征在于，還包括：

輸入子電路，包含功分器、主功率放大單元輸入匹配網絡、輔助功率放大單元輸入匹配網絡、第一等效網絡；功分器輸入端與所述第一輸入端連接，用于將所述第一輸入端接收到的功率信號分成至少主路功率信號和輔路功率信號，所述主路功率信號發送給所述主功率放大單元輸入匹配網絡，所述輔路功率信號通過所述第一等效網絡發送給所述輔助功率放大單元輸入匹配網絡；所述主功率放大單元輸入匹配網絡、所述輔助功率放大單元輸入匹配網絡用于實現阻抗匹配，第一等效網絡用于實現相位補償；

主功率放大單元，與所述主功率放大單元輸入匹配網絡的輸出端連接，用于放大所述主路功率信號；

輔助功率放大單元，與所述輔助功率放大單元輸入匹配網絡的輸出端連接，用于放大所述輔路功率信號；

輸出子電路，包含主功率放大單元輸出匹配網絡、輔助功率放大單元輸出匹配網絡、第二等效網絡；所述主功率放大單元輸出匹配網絡兩端分別與所述主功率放大單元的輸出端和所述第二等效網絡的輸入端連接，所述輔助功率放大單元輸出匹配網絡兩端分別與所述輔助功率放大單元的輸出端和所述第一輸出端連接，所述第二等效網絡的輸出端與所述第一輸出端連接；所述主功率放大單元輸出匹配網絡和所述輔助功率放大單元輸出匹配網絡用于實現阻抗匹配，第二等效網絡用于實現1/4波長阻抗變換。

2.如權利要求1所述的功率放大裝置，其特征在于，還包括：

GaAs半絕緣襯底，采用半導體無源工藝將所述輸入子電路、所述輸出子電路均制作在所述GaAs半絕緣襯底上。

3.如權利要求1所述的功率放大裝置，其特征在于，通過金屬框架無引線封裝的方式將所述輸入子電路、所述主功率放大單元、所述輔助功率放大單元、所述輸出子電路混合集成在一起。

4.如權利要求1所述的功率放大裝置，其特征在于，所述輸入子電路、所述主功率放大單元、所述輔助功率放大單元、所述輸出子電路之間通過金絲鍵合的方式相互連接。

5.如權利要求1所述的功率放大裝置，其特征在于，所述主功率放大單元包括第一功率放大器，所述輔助功率放大單元包括第二功率放大器。

6.如權利要求5所述的功率放大裝置，其特征在于，所述第一功率放大器的個數為兩個以上，各個所述第一功率放大器之間并聯。

7.如權利要求5所述的功率放大裝置，其特征在于，所述第二功率放大器的個數為兩個以上，各個所述第二功率放大器之間并聯。

8.如權利要求1至7任一項所述的功率放大裝置，其特征在于，所述第一等效網絡和所述第二等效網絡結構相同，所述第一等效網絡為C-L-C單元，所述C-L-C單元包括：第一電容、第一電感和第二電容；

所述第一電容的一端接地，另一端與所述第一電感的一端連接；

所述第一電感的另一端與所述第二電容的一端連接；

所述第二電容的第二端接地。

9.一種微波電路，其特征在于，包括權利要求1至8任一項所述的功率放大裝置。