[發明專利]砷化鎵太陽能電池及其制備方法

有效

• 申請號: 201711491627.1
• 申請日: 2017-12-30
• 公開（公告）號: CN108258062B
• 公開（公告）日: 2020-12-01
• 發明（設計）人: 李云;張宇超;馬曉薇;任繼民
• 申請（專利權）人: 河北英沃泰電子科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所 13120
• 代理人: 陸林生

1.砷化鎵太陽能電池，包括外延片，其特征在于：所述外延片的正面設有正面N電極，所述外延片的背面設有背面N電極及背面P電極，且所述背面N電極設有兩組，且分別位于所述背面P電極的兩側，背面N電極的表面與所述背面P電極的表面共面；所述正面N電極與所述背面N電極通過設于所述外延片上的多個通道相連；每個所述通道的內壁上均包覆有絕緣層，每組所述通道內設有用于連通所述正面N電極與所述背面N電極的導電柱；所述背面N電極與所述背面P電極之間設有絕緣隔離帶；所述正面N電極包括分別設于所述外延片正面角點處的多邊形結構，以及連接相鄰兩多邊形結構的長條形結構；所述外延片包括沿襯底向上分別生長緩沖層、底電池、中電池、頂電池、窗口層和N++-InGaAs接觸層，其中頂電池和中電池之間設置有阻隔層、隧道結、窗口層，所述中電池和底電池之間分別設有阻隔層、隧道結；

砷化鎵太陽能電池的制備方法，包括如下步驟：

A.外延片減?。?/p>

B.在外延片的背面制作背面P電極；

C.在外延片上制作通道；

D.制作通道內壁的絕緣層，及制作背面P電極兩側的絕緣隔離帶；

E.使用電鍍方法制作通道內的導電柱，電鍍材料向外延片的背面擴散，形成背面N電極；

F.在外延片的正面制作正面N電極；

其中，步驟A中采用腐蝕或磨片方法將外延片減薄至30-60μm；

步驟B中采用光刻及蒸鍍的方法制作背面P電極；

步驟C中采用光刻及腐蝕的方法制作通道；

步驟D中采用蒸鍍或濺射方法制作通道內壁的絕緣層，及制作背面P電極兩側的絕緣隔離帶；

步驟E中采用電鍍方法制作導電柱及背面N電極，電鍍材料為銅；

G.步驟F中采用光刻及蒸鍍的方法制作正面N電極。

2.如權利要求1所述的砷化鎵太陽能電池，其特征在于：所述通道沿所述外延片的厚度方向設置。

3.如權利要求1所述的砷化鎵太陽能電池，其特征在于：所述正面N電極上設有減反射膜。

4.如權利要求1所述的砷化鎵太陽能電池的制備方法，其特征在于：所述步驟F之后還包括步驟G：腐蝕外延片的正面。

5.如權利要求4所述的砷化鎵太陽能電池的制備方法，其特征在于：所述步驟G之后還包括步驟H：在正面N電極上制作減反射膜。