[發(fā)明專利]一種摻雜離子穩(wěn)定劑的鈣鈦礦薄膜及其制備方法和應(yīng)用有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711491126.3 | 申請日: | 2017-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN108232014B | 公開(公告)日: | 2020-11-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 不公告發(fā)明人 | 申請(專利權(quán))人: | 杭州纖納光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/42 | 分類號: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司: | 杭州奧創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 33272 | 代理人: | 楊文華 |
| 地址: | 311121 浙江省杭州*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 摻雜 離子 穩(wěn)定劑 鈣鈦礦 薄膜 及其 制備 方法 應(yīng)用 | ||
1.一種摻雜離子穩(wěn)定劑的鈣鈦礦薄膜的制備方法,其特征在于,在所述鈣鈦礦薄膜內(nèi)摻雜有離子穩(wěn)定劑,所述離子穩(wěn)定劑化學結(jié)構(gòu)通式為R1-R-R2,其中,R為烷基,R1、R2分別為取代基,R1為烷基、芳基、羥基、烷氧基、氨基、取代氨基、酯基、酰胺基中的任意一種,R2為鹵素、含硫基團、含氮基團、含磷基團、含砷基團中的至少一種;所述摻雜離子穩(wěn)定劑的鈣鈦礦薄膜的制備方法包括如下步驟:
步驟S11、制備鈣鈦礦溶液;
步驟S12、在所述鈣鈦礦溶液中添加離子穩(wěn)定劑,70℃加熱攪拌2h,得到鈣鈦礦穩(wěn)定劑混合液;
步驟S13、通過旋涂、刮涂、狹縫式連續(xù)涂布或噴涂中任意一種加工方式將該鈣鈦礦穩(wěn)定劑混合液涂覆在沉積有傳輸層的基片上形成一層含有鈣鈦礦穩(wěn)定劑混合液的薄膜層,并對該薄膜層進行退火處理得到摻雜離子穩(wěn)定劑的鈣鈦礦薄膜層;
在步驟S11中,所述鈣鈦礦溶液中混合有含有至少一種二價金屬鹵化物前驅(qū)物BX2的溶液、含有至少一種反應(yīng)物AX的溶液以及有機溶劑,B為二價金屬陽離子:鉛、錫、鎢、銅、鋅、鎵、鍺、砷、硒、銠、鈀、銀、鎘、銦、銻、鋨、銥、鉑、金、汞、鉈、鉍、釙中的任意一種陽離子,X為碘、溴、氯、砹、硫氰根、醋酸根中的至少任意一種陰離子,A為銫、銣、胺基、脒基或者堿族中的至少任意一種,所述有機溶劑包括主溶劑及溶劑添加劑,所述主溶劑為可溶解金屬鹵化物的酰胺類溶劑、砜類/亞砜類溶劑、酯類溶劑、烴類、鹵代烴類溶劑、醇類溶劑、酮類溶劑、醚類溶劑、芳香烴溶劑中的任意一種,所述溶劑添加劑為酰胺類溶劑、砜類/亞砜類溶劑、酯類溶劑、烴類、鹵代烴類溶劑、醇類溶劑、酮類溶劑、醚類溶劑、芳香烴中的至少任意一種;在所述鈣鈦礦溶液中,前驅(qū)物BX2溶液的濃度為0.5~2mol/L,反應(yīng)物AX加入量是前驅(qū)物BX2摩爾量的0~100%,溶劑添加劑與前驅(qū)物BX2的摩爾比為0~300%;
在步驟S12中,所述離子穩(wěn)定劑的摻入量是前驅(qū)物BX2摩爾量的0.01~20%。
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