[發明專利]一種低壓槽柵超結MOS器件在審

申請號：	201711490285.1	申請日：	2017-12-30
公開（公告）號：	CN109994550A	公開（公告）日：	2019-07-09
發明（設計）人：	李澤宏;王為;謝馳	申請（專利權）人：	貴州恒芯微電子科技有限公司
主分類號：	H01L29/78	分類號：	H01L29/78;H01L29/40;H01L29/06;H01L21/336
代理公司：	貴陽中新專利商標事務所 52100	代理人：	劉楠
地址：	550000 貴州省貴陽市國家高新技術產***	國省代碼：	貴州;52
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摘要：
搜索關鍵詞：	離子超結摻雜層低壓槽刻蝕比導通電阻超結結構超結器件電場作用工藝兼容擊穿電壓器件結構柵氧化層制造工藝溝槽柵交替的外延層氧化層槽柵埋層深槽緩解制造
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【權利要求書】：

1.一種低壓槽柵超結MOS器件，其特征在于：包括金屬化漏端電極（1）、N+襯底（2）、位于N+襯底（2）上方的N-外延層（5），外延時通過一次離子注入并反擴形成埋層（3），刻蝕完深槽后離子注入形成的摻雜層（4），熱生長的柵氧化層（6）和淀積的重摻雜多晶硅（7），所述N-外延層上部兩側為P型體區（8），所述P型體區（8）中設置有相互獨立的N+源區（9），淀積的硼磷硅玻璃（10）和上表面金屬化源極（11）。

2.根據權利要求1所述的低壓槽柵超結MOS器件，其特征在于：離子注入外延反擴形成的埋層3和離子注入形成的摻雜層4相連并與外延層5組成P/N柱交替的超結結構。

3.根據權利要求1或2所述的低壓槽柵超結MOS器件，其特征在于：所述半導體材料可采用體硅、碳化硅、砷化鎵、磷化銦或鍺硅。

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