[發明專利]一種汽車用雪崩二極管的制造方法在審
| 申請號: | 201711490251.2 | 申請日: | 2017-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN108565217A | 公開(公告)日: | 2018-09-21 |
| 發明(設計)人: | 黃發良 | 申請(專利權)人: | 黃山市弘泰電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/329 | 分類號: | H01L21/329;H01L21/50 |
| 代理公司: | 深圳市百瑞專利商標事務所(普通合伙) 44240 | 代理人: | 李振泉;楊大慶 |
| 地址: | 24561*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 雪崩二極管 汽車用 二次測試 有效解決 一次焊接成型 費用成本 高溫固化 高溫特性 后期處理 環保污水 激光打標 堿洗工藝 燒結 灌封膠 熱疲勞 裝填 打膠 灌封 烘干 堿洗 浪涌 固化 制備 制造 判定 清洗 測試 | ||
1.一種汽車用雪崩二極管的制造方法,其特征在于:包括如下步驟:
步驟(1)裝填與燒結:將銅引線、焊片、硅片、焊片、銅座自下而上依次疊放在加工模具內,然后送入真空燒結爐內燒結成半成品;
步驟(2)堿洗與清洗:待燒結完成后,將半成品自加工模具內取出后依次進行堿洗、一次熱水清洗、弱酸清洗、二次熱水清洗、超聲波清洗、純水沖洗;
步驟(3)烘干:將清洗后的半成品送入烘箱內烘干;
步驟(4)打膠:將經過步驟(3)一次烘干后的半成品進行打膠處理,膠選用聚醯亞胺;
步驟(5)膠高溫固化:將打膠后的半成品送入烘箱內,待膠烘烤完全固化后取出;
步驟(6)一次測試:測試二次烘干處理后的半成品的整體性能,合格的半成品轉入下一道工序,不合格的半成品轉入不合格半成品區;
步驟(7)灌封處理:在經一次測試判定為合格的半成品上套上塑料圈,然后灌注環氧樹脂;
步驟(8)灌封膠固化:將灌封處理后的半成品送入烘箱內烘烤固化;
步驟(9)二次測試:在高溫環境下,測試固化后的半成品的整體高溫漏電性能;并進行反向浪涌測試、熱疲勞測試;將測試合格的半成品定義為成品進入下一工序,不合格的半成品移至廢品區;
步驟(10)、將經二次測試判定合格的產品進行激光打標。
2.根據權利要求1所述的汽車用雪崩二極管的制造方法,其特征在于:步驟(1))裝填與燒結過程中,當裝好材料的加工模具送入真空燒結爐中時,進行第一次抽真空和第一次充氮氣,待真空燒結爐內的溫度上升至180℃時,進行第二次抽真空和第二次充氮氣,然后待真空燒結爐內的溫度上升至340℃后保持溫度燒結8~12分鐘后開始降溫,真空燒結爐內的溫度由常溫上升至340℃控制在1h內完成;降溫過程中,在溫度降至330℃、310℃、290℃時分別進行第三次抽真空充氮氣、第四次抽真空充氮氣、第五次抽真空充氮氣;上述五次抽真空充氮氣時,抽真空至-100kpa,充氮氣至80kp,氮氣純度為99.999;待溫度降至290℃后開始自然冷卻直至完全冷卻。
3.根據權利要求1所述的汽車用雪崩二極管的制造方法,其特征在于:步驟(2)堿洗與清洗過程中:堿洗時,堿洗液選用濃度20~30%的氫氧化鉀溶液,堿洗溫度80~100℃,堿洗時間30~40min;一次熱水清洗和二次熱水清洗,水溫60~80℃,時間3~5min;弱酸清洗選用5~10%的檸檬酸,清洗時間3~5min;超聲波清洗時,選用循環水清洗20~25min;純水沖洗時間8~10min。
4.根據權利要求1所述的汽車用雪崩二極管的制造方法,其特征在于:步驟(3)烘干時,烘箱溫度200℃,時間3~4h。
5.根據權利要求1所述的汽車用雪崩二極管的制造方法,其特征在于:步驟(5)膠高溫固化過程中,烘箱溫度在升至80℃、100℃、120℃、150℃、180℃時分別保持2h,烘箱溫度在升至210℃時保持4h,烘箱溫度在升至260℃時保持12h,后自然冷卻,上述烘箱溫度上升變化過程為連續不間斷過程。
6.根據權利1至5任意一項所述的汽車用雪崩二極管的制造方法,其特征在于:二次測試時,高溫環境的溫度為170℃,一次測試和二次測試時,半成品的整體性能測試包括VF、IR、DVZ1、DVZ2、VB測試;步驟(7)灌封處理中的環氧樹脂選用AB型高溫環氧樹脂。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





