[發(fā)明專利]半導(dǎo)體功率器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711489809.5
• 申請(qǐng)日: 2017-12-29
• 公開（公告）號(hào): CN109994549B
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 袁愿林;毛振東;劉偉;王睿
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州東微半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/739
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種半導(dǎo)體功率器件，其特征在于，包括：

半導(dǎo)體襯底；

在所述半導(dǎo)體襯底上形成的至少一個(gè)MOSFET單元，所述MOSFET單元包括位于所述半導(dǎo)體襯底底部的第一導(dǎo)電類型的漏區(qū)；

位于所述半導(dǎo)體襯底中且位于所述漏區(qū)之上的至少一個(gè)第二導(dǎo)電類型的集電極區(qū)，所述集電極區(qū)與所述漏區(qū)連接形成pn結(jié)結(jié)構(gòu)；

所述MOSFET單元還包括：位于所述漏區(qū)之上的第一導(dǎo)電類型的漂移區(qū)；位于所述半導(dǎo)體襯底頂部的第一導(dǎo)電類型的源區(qū)；第二導(dǎo)電類型的體區(qū)，所述體區(qū)位于所述源區(qū)與所述漂移區(qū)之間；位于所述體區(qū)內(nèi)且介于所述源區(qū)和所述漂移區(qū)之間的電流溝道；以及控制所述電流溝道開啟和關(guān)斷的柵極結(jié)構(gòu)；所述集電極區(qū)、所述漂移區(qū)、所述體區(qū)與所述源區(qū)之間形成p-n-p-n結(jié)構(gòu)，所述p-n-p-n結(jié)構(gòu)與所述柵極結(jié)構(gòu)形成橫向的IGBT結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體功率器件，其特征在于，所述集電極區(qū)環(huán)繞包圍所述MOSFET單元，或者所述集電極區(qū)位于所述MOSFET單元的一側(cè)或者兩側(cè)。

3.如權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體功率器件，其特征在于，所述集電極區(qū)為位于所述漏區(qū)之上的多晶硅導(dǎo)電柱。

4.如權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體功率器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底中設(shè)有柵極溝槽，所述柵極結(jié)構(gòu)設(shè)于所述柵極溝槽中，所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵介質(zhì)層和控制柵極。

5.如權(quán)利要求4所述的一種半導(dǎo)體功率器件，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)還包括絕緣介質(zhì)層和屏蔽柵極。

6.如權(quán)利要求5所述的一種半導(dǎo)體功率器件，其特征在于，所述控制柵極設(shè)于所述柵極溝槽的上部?jī)蓚?cè)，所述屏蔽柵極由所述絕緣介質(zhì)層與所述控制柵極和所述漂移區(qū)隔離。

7.如權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體功率器件，其特征在于，所述集電極區(qū)和所述MOSFET單元之間設(shè)有分壓結(jié)構(gòu)。

8.如權(quán)利要求7所述的一種半導(dǎo)體功率器件，其特征在于，所述分壓結(jié)構(gòu)為場(chǎng)板或者為場(chǎng)限環(huán)或者為填充有多晶硅的溝槽結(jié)構(gòu)。