[發明專利]一種抑制本振牽引的直接上變頻發射機及其抑制方法

在審

• 申請號: 201711489241.7
• 申請日: 2017-12-30
• 公開（公告）號: CN108063624A
• 公開（公告）日: 2018-05-22
• 發明（設計）人: 梁振;徐肯
• 申請（專利權）人: 廣州市廣晟微電子有限公司
• 主分類號: H04B1/04
• 分類號: H04B1/04
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 胡輝

1.一種抑制本振牽引的直接上變頻發射機，其特征在于，包括數模轉換器、低通濾波器、混頻器、壓控振蕩器和可變增益放大器，所述數模轉換器的輸出端依次通過低通濾波器及混頻器與可變增益放大器的輸入端連接，所述混頻器與壓控振蕩器連接，所述可變增益放大器包括放大模塊、濾波模塊和匹配輸出模塊，所述混頻器的輸出端依次通過放大模塊及濾波模塊與匹配輸出模塊的輸入端連接；

所述放大模塊用于根據控制信號對載波信號進行增益放大；

所述濾波模塊用于濾除增益放大后的載波信號的載波二次諧波。

2.根據權利要求1所述的一種抑制本振牽引的直接上變頻發射機，其特征在于，所述濾波模塊包括第二電容、第三電容、第一電感裝置和第二電感裝置；

所述第二電容的一端與放大模塊的第一輸出端連接，所述第二電容的另一端與第一電感裝置的一端連接，所述第一電感裝置的另一端接地，所述第三電容的一端與放大模塊的第二輸出端連接，所述第三電容的另一端與第二電感裝置的一端連接，所述第二電感裝置的另一端接地。

3.根據權利要求2所述的一種抑制本振牽引的直接上變頻發射機，其特征在于，所述第一電感裝置和第二電感裝置均采用封裝線形成，所述第二電容和第三電容集成在芯片上；

所述封裝線用于向濾波模塊提供電感參數。

4.根據權利要求1所述的一種抑制本振牽引的直接上變頻發射機，其特征在于，所述放大模塊包括多個跨導單元，所述混頻器的輸出端分別與各跨導單元的輸入端連接，各所述跨導單元的輸出端均與濾波模塊的輸入端連接。

5.根據權利要求4所述的一種抑制本振牽引的直接上變頻發射機，其特征在于，各所述跨導單元由放大部分和偏置控制部分組成；

所述放大部分用于對輸入的信號進行放大；

所述偏置控制部分用于接收控制信號后，對放大部分進行偏置。

6.根據權利要求5所述的一種抑制本振牽引的直接上變頻發射機，其特征在于，所述放大部分包括第四電容、第五電容、第一N型場效應晶體管、第二N型場效應晶體管、第三N型場效應晶體管和第四N型場效應晶體管；

所述第四電容的一端作為跨導單元的第一輸入端，所述第四電容的另一端與第一N型場效應晶體管的柵極連接，所述第五電容的一端作為跨導單元的第二輸入端，所述第五電容的另一端與第二N型場效應晶體管的柵極連接，所述第一N型場效應晶體管的源極和第二N型場效應晶體管的源極均接地，所述第一N型場效應晶體管的漏極與第三N型場效應晶體管的源極連接，所述第二N型場效應晶體管的漏極與第四N型場效應晶體管的源極連接，所述第三N型場效應晶體管的漏極作為跨導單元的第一輸出端，所述第四N型場效應晶體管的漏極作為跨導單元的第二輸出端，所述第三N型場效應晶體管的柵極和第四N型場效應晶體管的柵極連接。

7.根據權利要求6所述的一種抑制本振牽引的直接上變頻發射機，其特征在于，所述偏置控制部分包括反相器、第一開關、第二開關、第三開關、第四開關、第一直流電壓源、第二直流電壓源、第一電阻、第二電阻；

所述第一電阻和第二電阻串聯在第一N型場效應晶體管的柵極和第二N型場效應晶體管的柵極之間，所述第一電阻和第二電阻的連接點分別與第三開關的第一端和第四開關的第一端連接，所述第三開關的第二端接地，所述四開關的第二端與第二直流電壓源的正極連接，所述第二直流電壓源的負極接地，所述第三N型場效應晶體管的柵極和第四N型場效應晶體管的柵極的連接點分別與第一開關的第一端和第二開關的第一端連接，

所述第一開關的第二端接地，所述第二開關的第二端與第一直流電壓源的正極連接，所述第一直流電壓源的負極接地，所述第二開關的第三端、第四開關的第三端及反相器的輸入端連接，且連接點作為跨導單元的控制信息輸入端，所述反相器的輸出端分別與第一開關的第三端和第三開關的第三端連接。

8.根據權利要求6所述的一種抑制本振牽引的直接上變頻發射機，其特征在于，所述第三N型場效應晶體管和第四N型場效應晶體管均采用耐高壓N型場效應晶體管。