[發(fā)明專利]一種太陽能發(fā)電組件用旁路二極管在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711489119.X | 申請日: | 2017-12-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108010975A | 公開(公告)日: | 2018-05-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李健 | 申請(專利權(quán))人: | 常州星海電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/044 | 分類號(hào): | H01L31/044;H01L23/492 |
| 代理公司: | 揚(yáng)州市蘇為知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32283 | 代理人: | 周全;陶得天 |
| 地址: | 213022 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 太陽能 發(fā)電 組件 旁路 二極管 | ||
1.一種太陽能發(fā)電組件用旁路二極管,其特征在于,包括陰極片、芯片和陽極片,所述芯片的N面焊接在陰極片上,所述陽極片的一側(cè)焊接在芯片的P面上;
所述陽極片包括本體、升高體和焊接體,所述升高體的一側(cè)與本體之間通過連接體一連為一體,使得升高體高于本體,所述焊接體的一側(cè)通過連接體二連接在低于升高體的位置;所述芯片的P面與焊接體的中部相焊接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽能發(fā)電組件用旁路二極管,其特征在于,所述旁路二極管還包括包覆在陰極片、芯片和陽極片外的封裝體;
所述陰極片的一側(cè)伸出至封裝體外,形成陰極端子。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種太陽能發(fā)電組件用旁路二極管,其特征在于,所述焊接體的一側(cè)通過連接體二與本體連為一體,所述本體的一側(cè)伸出至封裝體外,形成陽極端子。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種太陽能發(fā)電組件用旁路二極管,其特征在于,所述焊接體的一側(cè)通過連接體三焊接與升高體連接一體,所述陽極片中的升高體的一側(cè)、連接體和本體均伸出至封裝體外,形成陽極端子。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種太陽能發(fā)電組件用旁路二極管,其特征在于,所述陽極片中本體的底面與封裝體的底面處在同一平面上,所述陰極端子具有下折彎部、且所述下折彎部的底面與封裝體的底面處在同一平面上。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種太陽能發(fā)電組件用旁路二極管,其特征在于,所述升高體遠(yuǎn)離本體的一側(cè)還設(shè)有至少一個(gè)與其連為一體且高度一致的加強(qiáng)體,所述加強(qiáng)體位于焊接體的上方、且加強(qiáng)體中開設(shè)有至少一用于穿過封裝體的加強(qiáng)孔。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽能發(fā)電組件用旁路二極管,其特征在于,所述陽極片和陰極片上還開設(shè)有位于封裝體內(nèi)的長條形凹槽。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽能發(fā)電組件用旁路二極管,其特征在于,所述陽極片的厚度小于陰極片的厚度。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





