[發明專利]背光模組及液晶顯示裝置

有效

• 申請號: 201711489009.3
• 申請日: 2017-12-29
• 公開（公告）號: CN108181763B
• 公開（公告）日: 2023-05-26
• 發明（設計）人: 張捷
• 申請（專利權）人: 深圳市瑩狐科技有限公司
• 主分類號: G02F1/13357
• 分類號: G02F1/13357
• 代理公司: 北京天下創新知識產權代理事務所(普通合伙) 16044
• 代理人: 李海燕

1.一種背光模組(61)，其特征在于，包括基底(611)、LED光源(612)、透鏡層(613)和遮光層(614)；其中，

所述LED光源(612)設置于所述基底(611)內；

所述遮光層(614)設置于所述LED光源(612)上；

所述透鏡層(613)設置于所述遮光層(614)上；

其中，所述LED光源(612)為橫向排布的四色LED芯片；所述四色LED芯片包括依次橫向排布的第一藍光外延層(10A)、黃光外延層(20)、綠光外延層(30)、紅光外延層(40)、第二藍光外延層(10B)；

其中，所述第一藍光外延層(10A)和所述第二藍光外延層(10B)的材料相同，均包括第一GaN緩沖層(101)、第一GaN穩定層(102)、第一n型GaN層(103)、第一多量子阱層(104)、第一AlGaN阻擋層(105)以及第一p型GaN(106)；

所述黃光外延層(20)包括第二GaN緩沖層(201)、第二GaN穩定層(202)、第二n型GaN層(203)、第二多量子阱層(204)、第二AlGaN阻擋層(205)以及第二p型GaN層(206)；

所述綠光外延層(30)包括第三GaN緩沖層(301)、第三GaN穩定層(302)、第三n型GaN層(303)、第三多量子阱層(304)、第三AlGaN阻擋層(305)以及第三p型GaN層(306)；

所述紅光外延層(40)包括第四GaN緩沖層(401)、n型GaAs緩沖層(402)、n型GaAs穩定層(403)、第四多量子阱層(404)、p型A1GaInP阻擋層(405)以及p型GaAs層(406)；

所述第一藍光外延層(10A)和所述第二藍光外延層(10B)設置于襯底上，所述第一藍光外延層(10A)和所述第二藍光外延層(10B)通過底部的部分第一GaN緩沖層(101)相連形成凹槽；所述黃光外延層(20)、所述綠光外延層(30)、所述紅光外延層(40)依次橫向設置于所述凹槽內；所述凹槽和所述黃光外延層(20)、所述綠光外延層(30)、所述紅光外延層(40)所在的槽均為矩形槽；

所述四色LED芯片還包括多個正電極以及整個四色LED芯片共用的一個負電極，所述多個正電極分別設置于所述第一藍光外延層(10A)、所述黃光外延層(20)、所述綠光外延層(30)、所述紅光外延層(40)以及所述第二藍光外延層(10B)上；其中，所述負電極是依次刻蝕所述第一p型GaN層(106)、所述第一AlGaN阻擋層(105)、所述第一多量子阱層(104)和所述第一n型GaN層(103)，直至刻蝕到所述第一GaN穩定層(102)制備得到的；所述第一藍光外延層(10A)、所述黃光外延層(20)、所述綠光外延層(30)、所述紅光外延層(40)以及所述第二藍光外延層(10B)上的正電極分別是在所述第一p型GaN層(106)表面、所述第二p型GaN層(206)表面、所述第三p型GaN層(306)表面、所述p型GaAs層(406)表面和所述第一p型GaN層(106)表面上制備得到的。

2.根據權利要求1所述的背光模組(61)，其特征在于，所述基底(611)包括底座及設置于所述底座四周的側壁，所述透鏡層(613)覆蓋于所述基底(611)的側壁上以封閉所述基底(611)。

3.根據權利要求1所述的背光模組(61)，其特征在于，所述透鏡層(613)用于將所述LED光源(612)的散光轉換成準直光。

4.一種液晶顯示裝置，包括下偏光片(62)、下基板(63)、下電極(64)、液晶分子層(65)、上電極(66)、上基板層(67)以及上偏光片(68)，其特征在于還包括由權利要求1～3任意一項所述的背光模組(61)。