[發(fā)明專利]顯示面板制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711487828.4 | 申請日: | 2017-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN108198843B | 公開(公告)日: | 2020-08-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 夏存軍;彭斯敏 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢華星光電半導體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市東湖新技術(shù)*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 制備 方法 | ||
1.一種顯示面板制備方法,其特征在于,包括:
提供一基板;
在所述基板上形成陽極及層疊于所述陽極上的像素定義層,其中,所述像素定義層包括多個像素墻和每兩個所述像素墻之間的像素定義區(qū),所述陽極露出所述像素定義區(qū);
在所述像素定義層上形成保護層,其中,所述保護層包括多個間隔設(shè)置的保護墻,每兩個相鄰的所述保護墻之間為保護區(qū),每一所述保護墻對應一個所述像素墻且位于所述像素墻的表面,所述保護墻在所述像素墻上的正投影完全覆蓋所述像素墻,所述保護區(qū)與所述像素定義區(qū)一一對應;
在所述像素定義層上形成發(fā)光層,所述發(fā)光層位于所述像素定義區(qū)內(nèi)且覆蓋所述陽極;
在所述發(fā)光層上形成第一有機層,其中,所述第一有機層表面形成有多個第一凸起;
將所述保護層移除;
在所述像素定義層的多個所述像素墻的表面和所述第一有機層上沉積無機層。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示面板制備方法,其特征在于,所述顯示面板制備方法還包括:
在所述無機層上正對所述像素墻的中心位置蝕刻出微槽;
在所述無機層上形成覆蓋所述微槽的第二有機層。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示面板制備方法,其特征在于,在所述像素定義層的多個所述像素墻的表面和所述第一有機層上沉積無機層的步驟中,采用等離子體增強化學汽相沉積、原子層沉積或物理沉積的方式形成無機層,其中,所述無機層遠離所述第一有機層的一面上形成有多個第二凸起,每一所述第二凸起與每一所述第一凸起對應。
4.如權(quán)利要求1所述的顯示面板制備方法,其特征在于,在所述基板上形成陽極及層疊于所述陽極上的像素定義層的步驟中,包括:
在所述基板上形成金屬層,圖案化所述金屬層以形成所述陽極,其中,所述陽極包括數(shù)個間隔排列的凹槽;
在所述陽極上沉積所述像素定義層,其中,所述像素墻覆蓋所述凹槽并凸出所述陽極。
5.如權(quán)利要求1所述的顯示面板制備方法,其特征在于,在所述發(fā)光層上形成第一有機層的步驟中,采用噴墨打印技術(shù)打印形成第一有機層。
6.如權(quán)利要求5所述的顯示面板制備方法,其特征在于,在將所述保護層移除的步驟中,采用脫模工藝將所述保護層移除。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





