[發明專利]一種大氣等離子噴涂技術制備具有擇優取向羥基磷灰石涂層的方法在審
| 申請號： | 201711486239.4 | 申請日： | 2017-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN108118282A | 公開（公告）日： | 2018-06-05 |
| 發明（設計）人： | 賀定勇;劉曉梅;周正;王國紅;王曾潔;吳旭;談震 | 申請（專利權）人： | 北京工業大學 |
| 主分類號： | C23C4/134 | 分類號： | C23C4/134;C23C4/04;A61L27/32;A61L27/50 |
| 代理公司： | 北京思海天達知識產權代理有限公司 11203 | 代理人： | 張立改 |
| 地址： | 100124 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 羥基磷灰石涂層 制備 擇優取向 大氣等離子噴涂 球形羥基磷灰石 生物醫用材料 人工種植體 噴涂材料 涂層表面 結晶度 柱狀晶 烘干 粒徑 團聚 垂直 | ||
1.一種大氣等離子噴涂技術制備具有擇優取向羥基磷灰石涂層的方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟1,選取粒徑38-45μm高純納米團聚羥基磷灰石粉末作為噴涂材料；
步驟2,對金屬基體表面進行預處理去除表面氧化膜以及油污，然后對金屬基體進行噴砂處理；聚羥基磷灰石粉末的純度大于98％。
步驟3,將烘干后的步驟1所述的粉料采用大氣等離子噴涂設備噴涂于步驟2經預處理和噴砂后的基體之上，噴涂工藝參數為：噴涂電流330-350A，噴涂電壓50V，噴涂距離60mm，氬氣流量23.5-25SLPM，槍擺速度150m/s，步進4mm，送粉率6-7g/min，送粉載氣流量10-12SLPM。
2.按照權利要求1所述的一種大氣等離子噴涂技術制備具有擇優取向羥基磷灰石涂層的方法，其特征在于，其中在步驟2中，采用的基體為鈦合金。
3.按照權利要求1所述的一種大氣等離子噴涂技術制備具有擇優取向羥基磷灰石涂層的方法，其特征在于，在步驟3中，采用的大氣等離子噴槍為METCO 9MB，送粉方式為垂直送粉。
4.按照權利要求1所述的一種大氣等離子噴涂技術制備具有擇優取向羥基磷灰石涂層的方法，其特征在于，擇優取向為c軸擇優取向。
5.按照權利要求1所述的一種大氣等離子噴涂技術制備具有擇優取向羥基磷灰石涂層的方法，其特征在于，涂層中存在由大量的垂直于涂層表面的柱狀晶構成的層結構，具有多層結構，層與層之間為平行疊加。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C4-00 熔融態覆層材料噴鍍法，例如火焰噴鍍法、等離子噴鍍法或放電噴鍍法的鍍覆
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C23C4-04 .以鍍覆材料為特征的
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