[發明專利]以蘇打玻璃為包覆劑評估Pd82

在審

• 申請號: 201711484807.7
• 申請日: 2017-12-29
• 公開（公告）號: CN108007965A
• 公開（公告）日: 2018-05-08
• 發明（設計）人: 唐成穎;王許通;田莊;蘇婷;賀超;肖皓霖
• 申請（專利權）人: 桂林電子科技大學
• 主分類號: G01N25/20
• 分類號: G01N25/20;G01N25/12
• 代理公司: 北京眾合誠成知識產權代理有限公司 11246
• 代理人: 夏艷

1.以蘇打玻璃為包覆劑評估Pd82Si18臨界冷卻速率的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一：首先對被評估樣品Pd82Si18非晶薄帶進行X射線衍射分析和透射電子顯微鏡觀察，確保進行測試的是為非晶態樣品；其次，使用高純度In，Sn，Bi，Zn或Al，對差示掃描量熱儀進行校準，精度達到±0.5K和±1J/g，所述差示掃描量熱儀簡稱為DSC；

步驟二：在坩堝中放入蘇打玻璃包覆劑，并將Pd82Si18非晶薄帶放置于蘇打玻璃上，然后將坩堝置于DSC爐體中的試樣托盤上，蓋上爐蓋，設定20ml/min流速的純氬氣氛；

步驟三：以20K/min的加熱速率將溫度從室溫升至1300K，再以10～40K/min的冷卻速度進行冷卻，整個過程中，合金樣品不與坩堝壁接觸。

2.如權利要求1所述的以蘇打玻璃為包覆劑評估Pd82Si18臨界冷卻速率的方法，其特征在于，步驟一的非晶薄帶由純Pd和Si作為原料、通過電弧熔化首先制成Pd82Si18合金、再通過單輥甩帶法制備而成。

3.如權利要求1所述的以蘇打玻璃為包覆劑評估Pd82Si18臨界冷卻速率的方法，其特征在于，步驟一的X射線衍射分析在2θ角＝10-90°的范圍內進行，在透射電子顯微鏡觀察前，先通過離子碾磨以4keV的離子束能量和約3°的低銑削角度要求進行非晶薄帶樣品的制備。

4.如權利要求1所述的以蘇打玻璃為包覆劑評估Pd82Si18臨界冷卻速率的方法，其特征在于，所述差示掃描量熱儀的型號為Netzsch STA449 F3。

5.如權利要求1所述的以蘇打玻璃為包覆劑評估Pd82Si18臨界冷卻速率的方法，其特征在于，所述坩堝為Al2O3坩堝或者鉑坩堝。

6.如權利要求1所述的以蘇打玻璃為包覆劑評估Pd82Si18臨界冷卻速率的方法，其特征在于，步驟二中，Pd82Si18非晶薄帶與蘇打玻璃的質量比為1：8～12。