[發(fā)明專利]一種量子點(diǎn)及其制備方法與應(yīng)用

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711484247.5
• 申請(qǐng)日: 2017-12-29
• 公開（公告）號(hào): CN109988565A
• 公開（公告）日: 2019-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊一行;錢磊;楊成玉;丘潔龍;聶志文
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: TCL集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): C09K11/56
• 分類號(hào): C09K11/56;C09K11/70;C09K11/88;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00;H01L51/50
• 代理公司: 深圳市君勝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

1.一種量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于，包括步驟：

提供第一量子點(diǎn)核生長反應(yīng)體系，進(jìn)行第一量子點(diǎn)核生長，所述第一量子點(diǎn)核生長反應(yīng)體系中的前驅(qū)體為金屬元素M¹的前驅(qū)體和非金屬元素X¹的前驅(qū)體，所述第一量子點(diǎn)核中的金屬元素為金屬元素M¹；

在所述第一量子點(diǎn)核M¹X¹生長過程中，向所述第一量子點(diǎn)核生長反應(yīng)體系中加入金屬元素M²的前驅(qū)體；

打斷第一量子點(diǎn)核的生長，使所述金屬元素M²與所述第一量子點(diǎn)核M¹X¹中的金屬元素M¹進(jìn)行陽離子交換，進(jìn)行第二量子點(diǎn)核M¹M²X¹的生長；

得到第二量子點(diǎn)核M¹M²X¹，在所述第二量子點(diǎn)核M¹M²X¹表面形成第一半導(dǎo)體殼層，得到所述量子點(diǎn)；

所述金屬元素M²具有比金屬元素M¹更小的離子半徑。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于，所述非金屬元素X¹選自S、Se、Te、N、P和As中的一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體殼層的材料選自II-VI族半導(dǎo)體材料或III-V族半導(dǎo)體材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于，所述金屬元素M¹為Cd，所述金屬元素M²為Zn。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于，所述第二量子點(diǎn)核M¹M²X¹為CdZnS或者CdZnSe。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于，所述金屬元素M¹為In，所述金屬元素M²為Ga。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于，所述第二量子點(diǎn)核M¹M²X¹為InGaP。

8.一種量子點(diǎn)，其特征在于，包括量子點(diǎn)核和包覆所述量子點(diǎn)核的第一半導(dǎo)體殼層；

所述量子點(diǎn)核由金屬元素M¹、金屬元素M²和非金屬元素X¹組成；

所述量子點(diǎn)核中，沿所述量子點(diǎn)的半徑方向，從內(nèi)向外所述金屬元素M²的含量逐漸增加，從內(nèi)向外所述金屬元素M¹的含量逐漸減少；

所述金屬元素M²具有比金屬元素M¹更小的離子半徑。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的量子點(diǎn)，其特征在于，所述金屬元素M¹為Cd，所述金屬元素M²為Zn。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的量子點(diǎn)，其特征在于，所述量子點(diǎn)核M¹M²X¹為CdZnS或者CdZnSe。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的量子點(diǎn)，其特征在于，所述金屬元素M¹為In，所述金屬元素M²為Ga。