[發明專利]背光模組及液晶顯示裝置

有效

• 申請號: 201711484216.X
• 申請日: 2017-12-29
• 公開（公告）號: CN107894679B
• 公開（公告）日: 2023-01-10
• 發明（設計）人: 張捷
• 申請（專利權）人: 蘇州九駿電子科技有限公司
• 主分類號: G02F1/13357
• 分類號: G02F1/13357
• 代理公司: 合肥昕華匯聯專利代理事務所(普通合伙) 34176
• 代理人: 崔雅麗

1.一種背光模組，其特征在于，包括：LED光源(402)、導光板(403)、反射片(405)、擴散膜(406)及增亮膜(407)；其中，

所述LED光源(402)設置于所述導光板(403)的任意一側；

所述反射片(405)設置于所述導光板(403)下，用于將部分從所述導光板(403)非光出射面出射的光反射回所述導光板(403)；

所述增亮膜(407)設置于所述導光板(403)上；

所述擴散膜(406)設置于所述增亮膜(407)上；

其中，所述LED光源(402)包括：基底(4021)、紫外光源(4023)、藍光光源(4024)、綠色發光材料(4025)、紅色發光材料(4026)及多層膜反射板(4027)；

其中，

所述紫外光源(4023)以及所述藍光光源(4024)設置于所述基底(4021)內；

所述綠色發光材料(4025)設置于所述紫外光源(4023)上；

所述紅色發光材料(4026)設置于所述藍光光源(4024)上；

所述多層膜反射板(4027)設置于所述基底(4021)上；

所述紫外光源(4023)和藍光光源(4024)為雙色LED芯片；

該雙色LED芯片(10)包括：襯底(11)、GaN藍光外延層(12)、GaN紫外光外延層(13)、隔離層(14)、電極(15)、鈍化層(16)及反光層(17)；其中，所述GaN藍光外延層(12)、所述GaN紫外光外延層(13)及所述隔離層(14)均設置于所述襯底(11)上表面且所述隔離層(14)位于所述GaN藍光外延層(12)與所述GaN紫外光外延層(13)之間；所述電極(15)分別設置于所述GaN藍光外延層(12)與所述GaN紫外光外延層(13)上；所述鈍化層(16)設置于所述GaN藍光外延層(12)、所述GaN紫外光外延層(13)及所述隔離層(14)上表面；所述反光層(17)設置于所述襯底(11)下表面；

所述GaN藍光外延層(12)包括依次層疊于所述襯底(11)上表面第一指定區域的第一GaN緩沖層(121)、第一GaN穩定層(122)、第一n型GaN層(123)、第一有源層(124)、第一p型AlGaN阻擋層(125)及第一p型GaN接觸層(126)；其中，所述第一有源層(124)為InGaN量子阱(1241)/GaN勢壘(1242)多重結構；

所述GaN紫外光外延層(13)包括依次層疊于所述襯底(11)上表面第二指定區域的第二GaN緩沖層(131)、第二GaN穩定層(132)、第二n型GaN層(133)、第二有源層(134)、第二p型AlGaN阻擋層(135)及第二p型GaN接觸層(136)；其中，所述第二有源層(134)為Al_1-xGa_xN量子阱(1341)/Al_1-yGa_yN勢壘(1342)多重結構；

其中，所述GaN紫外光外延層(13)的形成過程包括：在所述襯底(11)上依次生長第一GaN緩沖層(121)、第一GaN穩定層(122)、第一n型GaN層(123)、第一有源層(124)、第一p型AlGaN阻擋層(125)及第一p型GaN接觸層(126)，在第一p型GaN接觸層(126)上表面淀積第一SiO₂層，在所述第一SiO₂層上形成第一待刻蝕區域，在所述第一待刻蝕區域向下刻蝕所述GaN藍光外延層(12)的各層直至露出所述襯底(11)，形成第一凹槽，去除所述第一SiO₂層，并在所述第一凹槽內淀積第二SiO₂層；選擇性刻蝕所述第二SiO₂層，以在所述第一凹槽四周形成SiO₂隔離層，所述SiO₂隔離層內部區域作為紫外光燈芯槽；在所述紫外光燈芯槽底部由下至上依次生長第二GaN緩沖層(131)、第二GaN穩定層(132)、第二n型GaN層(133)、第二有源層(134)、第二p型AlGaN阻擋層(135)及第二p型GaN接觸層(136)。

2.根據權利要求1所述的背光模組，其特征在于，所述基底(4021)包括底座及設置于所述底座四周的側壁，所述多層膜反射板(4027)覆蓋于所述基底(4021)的側壁上以封閉所述基底(4021)。