[發(fā)明專利]射頻諧振器與濾波器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711482051.2
• 申請日: 2017-12-29
• 公開（公告）號: CN108566177B
• 公開（公告）日: 2021-12-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 卓爾·赫爾維茨
• 申請（專利權(quán)）人: 珠海晶訊聚震科技有限公司
• 主分類號: H03H9/17
• 分類號: H03H9/17;H03H9/56
• 代理公司: 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44205
• 代理人: 俞梁清

1.濾波器封裝元件，包括夾裹在一組下電極與上電極之間的一組壓電薄膜：

各個壓電薄膜和上電極皆通過絕緣材料分隔開來；

下電極連接至一轉(zhuǎn)接板，下電極和轉(zhuǎn)接板之間大部分由第一腔體隔開；

濾波器封裝元件還包括具有已知厚度的硅晶圓，硅晶圓附接在上電極上，且在硅晶圓和硅蓋之間具有一組上層腔體；

每個上層腔體與一組壓電薄膜中的壓電薄膜對齊，上層腔體包括絕緣材料的側(cè)壁。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濾波器封裝元件，其中所述壓電薄膜包括Ba_xSr(1-x)TiO₃(BST)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濾波器封裝元件，其中每片所述壓電薄膜由單晶體材料構(gòu)成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濾波器封裝元件，其中下電極為鋁、鎢、鈦鎢或鉬。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的濾波器封裝元件，其中所述下電極的邊緣被凸塊底層金屬材料加固，該凸塊底層金屬材料包括鈦粘合層，再加上鎢和鉭中的至少一種金屬層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濾波器封裝元件，其中所述下電極通過端點焊錫的銅柱與轉(zhuǎn)接板耦接。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的濾波器封裝元件，其中包括鎢或鉭或鈦鎢的凸塊底層金屬材料將下電極與銅柱相連。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濾波器封裝元件，其中上電極為鋁、鎢、鈦鎢或鉬。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濾波器封裝元件，其中絕緣材料包括聚酰亞胺或苯并環(huán)丁烯(BCB)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濾波器封裝元件，還包括壓電薄膜與下電極間存在的第一鈦或鈦鎢粘合層。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的濾波器封裝元件，其中第一粘合層包括鈦。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濾波器封裝元件，其中硅晶圓通過鄰近上電極的粘合層、鍵合層和與硅晶圓相連的進(jìn)一步粘合層來連接上電極，從而形成復(fù)合電極。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的濾波器封裝元件，其中粘合層和進(jìn)一步粘合層包括厚度在5nm-50nm范圍誤差在5％以內(nèi)的鈦(Ti)和/或厚度在5nm-50nm范圍誤差在5％以內(nèi)的鈦鎢(TiW)。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的濾波器封裝元件，其中鍵合層的可選材料為金銦合金、金和氮化鋁。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濾波器封裝元件，其中硅晶圓的厚度在0.3微米到10微米之間，并且通過絕緣材料和/或氧化硅連接到硅蓋。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的濾波器封裝元件，其中硅蓋厚度介于90到250微米。

17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濾波器封裝元件，其中濾波器封裝元件被封裝在聚合物頂部填充中，其中濾波器陣列和轉(zhuǎn)接板之間的屏障物構(gòu)成了第一腔體四周的墻壁，其中該屏障物包括圍繞濾波器陣列并與下電極相接的SU8墊片以及附接至轉(zhuǎn)接板的環(huán)氧樹脂壩中的至少一個。

18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濾波器封裝元件，其中轉(zhuǎn)接板包括至少一個通孔層和一個封有銅的介電基質(zhì)布線層。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的濾波器封裝元件，其中轉(zhuǎn)接板包括聚合物基質(zhì)為聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂、BT(雙馬來酰亞胺/三嗪)、聚苯醚(PPE)、聚苯醚(PPO)或其共混物中的一種。

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的濾波器封裝元件，其中轉(zhuǎn)接板進(jìn)一步包括玻璃纖維和/或陶瓷填料。