[發(fā)明專利]復(fù)合量子點(diǎn)、量子點(diǎn)固態(tài)膜及其應(yīng)用

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711482034.9
• 申請(qǐng)日: 2017-12-29
• 公開（公告）號(hào): CN109994655A
• 公開（公告）日: 2019-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 程陸玲;楊一行
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: TCL集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/56
• 分類號(hào): H01L51/56;H01L51/50;H01L51/54;B82Y30/00
• 代理公司: 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所 44237
• 代理人: 黃志云

1.一種復(fù)合量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

將鹵化物AMX_m+1分散在極性溶劑中，得到鹵化物陰離子修飾劑，所述鹵化物AMX_m+1為具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的鹵化物，所述鹵化物陰離子修飾劑為[AMX_m+n+1]^n-，其中，M選自Pb、Cd、Zn、In、Fe、Sb中的一種，X選自Cl、Br、I中的一種，A為CH₃NH₃，m為M的化合價(jià)數(shù)，n為所述鹵化物陰離子修飾劑的價(jià)數(shù)，且m為2或3，當(dāng)m為2時(shí)，n為1；當(dāng)m為3時(shí)，n為1或2；所述極性溶劑為能夠使所述鹵化物電離形成鹵化物陰離子和鹵化物陽(yáng)離子的有機(jī)溶劑；

提供表面含有油溶性配體的量子點(diǎn)，將所述量子點(diǎn)與所述鹵化物陰離子修飾劑混合處理，所述鹵化物陰離子修飾劑與所述量子點(diǎn)表面的配體發(fā)生交換反應(yīng)，制備得到鹵化物陰離子修飾劑修飾的量子點(diǎn)。

2.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于，所述極性溶劑的施主數(shù)為10-50。

3.如權(quán)利要求2所述的復(fù)合量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于，所述有機(jī)溶劑選自甲基甲酰胺、丙烯碳酸酯、二甲基甲酰胺、乙腈、二甲基亞砜、甲醇、乙醇、丙醇中的至少一種。

4.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的復(fù)合量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于，將所述量子點(diǎn)與所述鹵化物陰離子修飾劑混合處理的步驟中，按照所述量子點(diǎn)和所述鹵化物陰離子修飾劑的質(zhì)量摩爾比為100mg：(0.2～1mmol)的比例混合處理。

5.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的復(fù)合量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于，所述油溶性配體選自油酸、油胺、三辛基磷、三辛基氧磷中的至少一種。

6.一種復(fù)合量子點(diǎn)，其特征在于，所述復(fù)合量子點(diǎn)為鹵化物陰離子修飾劑修飾的量子點(diǎn)，包括量子點(diǎn)顆粒，以及結(jié)合在所述量子點(diǎn)顆粒表面的鹵化物陰離子修飾劑，所述鹵化物陰離子修飾劑為[AMX_m+n+1]^n-，其中，M選自Pb、Cd、Zn、In、Fe、Sb中的一種，X選自Cl、Br、I中的一種，A為CH₃NH₃，m為M的化合價(jià)數(shù)，n為所述鹵化物陰離子修飾劑的價(jià)數(shù)，且m為2或3，當(dāng)m為2時(shí)，n為1；當(dāng)m為3時(shí)，n為1或2，所述[AMX_m+n+1]^n-具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)。

7.一種量子點(diǎn)固態(tài)膜，其特征在于，所述量子點(diǎn)固態(tài)膜含有權(quán)利要求6所述的復(fù)合量子點(diǎn)。

8.如權(quán)利要求7所述的量子點(diǎn)固態(tài)膜，其特征在于，所述量子點(diǎn)固態(tài)膜的厚度為5-60nm。

9.一種量子點(diǎn)固態(tài)膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供復(fù)合量子點(diǎn)的分散液，所述復(fù)合量子點(diǎn)的分散液中，復(fù)合量子點(diǎn)為權(quán)利要求6所述的復(fù)合量子點(diǎn)；

在基板上沉積所述復(fù)合量子點(diǎn)的分散液，退火處理，得到量子點(diǎn)固態(tài)膜。

10.一種發(fā)光器件，其特征在于，包括陽(yáng)極和陰極，以及設(shè)置在所述陽(yáng)極和所述陰極之間的量子點(diǎn)發(fā)光層，所述量子點(diǎn)發(fā)光層含有復(fù)合量子點(diǎn)，所述復(fù)合量子點(diǎn)為鹵化物陰離子修飾劑修飾的量子點(diǎn)，包括量子點(diǎn)顆粒，以及結(jié)合在所述量子點(diǎn)顆粒表面的鹵化物陰離子修飾劑，所述鹵化物陰離子修飾劑為[AMX_m+n+1]^n-，其中，M選自Pb、Cd、Zn、In、Fe、Sb中的一種，X選自Cl、Br、I中的一種，A為CH₃NH₃，m為M的化合價(jià)數(shù)，n為所述鹵化物陰離子修飾劑的價(jià)數(shù)，且m為2或3，當(dāng)m為2時(shí)，n為1；當(dāng)m為3時(shí)，n為1或2；所述[AMX_m+n+1]^n-具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)。