[發明專利]一種用于晶體硅異質結太陽電池的透明導電氧化物薄膜的制備方法

在審

• 申請號: 201711481430.X
• 申請日: 2017-12-29
• 公開（公告）號: CN108231940A
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發明（設計）人: 張聞斌;黃海賓;李杏兵;王月斌;王磊;徐昕;彭德香
• 申請（專利權）人: 中智(泰興)電力科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0747
• 分類號: H01L31/0747;H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 上海泰能知識產權代理事務所 31233
• 代理人: 黃志達;魏峯

1.一種用于晶體硅異質結太陽電池的透明導電氧化物薄膜的制備方法，包括：

以氬氣、氫氣和氧氣為反應氣體，采用磁控濺射法沉積氧化銦鈦ITiO薄膜；其中，磁控濺射法沉積的工藝參數為：沉積功率密度為1.5～15kW/m，沉積速率為2.5～25nm/s。

2.根據權利要求1所述的一種用于晶體硅異質結太陽電池的透明導電氧化物薄膜的制備方法，其特征在于：所述氬氣、氫氣、氧氣的流量比為10～100：0.05～10：1。

3.根據權利要求1所述的一種用于晶體硅異質結太陽電池的透明導電氧化物薄膜的制備方法，其特征在于：所述ITiO薄膜的電阻率為2*10^-4～10*10^-4Ω·cm；。

4.根據權利要求1所述的一種用于晶體硅異質結太陽電池的透明導電氧化物薄膜的制備方法，其特征在于：所述ITiO薄膜的載流子遷移率為20～100cm²/Vs。

5.根據權利要求1所述的一種用于晶體硅異質結太陽電池的透明導電氧化物薄膜的制備方法，其特征在于：所述ITiO薄膜的透射率不低于88％。

6.根據權利要求1所述的一種用于晶體硅異質結太陽電池的透明導電氧化物薄膜的制備方法，其特征在于：所述ITiO薄膜沉積在依次沉積了本征非晶硅基薄膜和摻雜非晶硅薄膜且制成了金字塔結構絨面的n型硅基底上。

7.根據權利要求6所述的一種用于晶體硅異質結太陽電池的透明導電氧化物薄膜的制備方法，其特征在于：所述摻雜非晶硅薄膜為n型摻雜非晶硅薄膜或p型摻雜非晶硅薄膜。