[發(fā)明專利]選擇性圖案化制備二硫化鉿氮化硼異質(zhì)結(jié)材料的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711480048.7 | 申請日: | 2017-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN108198753A | 公開(公告)日: | 2018-06-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王登貴;張興旺;尹志崗;孟軍華 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號: | H01L21/18 | 分類號: | H01L21/18;H01L21/027;H01L21/324 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 任巖 |
| 地址: | 100083 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 異質(zhì)結(jié)材料 襯底 選擇性圖案化 氮化硼 硫化 制備 退火 大規(guī)模集成化 光電子學器件 選擇性制備 薄膜材料 表面殘留 襯底表面 目標圖案 退火處理 氧氣氣氛 制備過程 重大意義 有機物 可控性 光刻 晶疇 去除 生長 應(yīng)用 生產(chǎn) | ||
本發(fā)明提供了一種選擇性圖案化制備二硫化鉿氮化硼HfS2/h?BN異質(zhì)結(jié)材料的方法,其包括以下步驟:步驟1、將h?BN晶疇或薄膜材料轉(zhuǎn)移至目標襯底上;步驟2、對轉(zhuǎn)移至目標襯底上的h?BN進行目標圖案化光刻;步驟3、在氧氣氣氛下對h?BN襯底進行退火處理,以去除h?BN表面殘留的有機物;步驟4、退火完成后,在h?BN襯底表面生長HfS2原子晶體,選擇性制備HfS2/h?BN異質(zhì)結(jié)材料。本發(fā)明制備過程簡單、成本低、可控性強,對基于HfS2/h?BN材料的光電子學器件的大規(guī)模集成化生產(chǎn)和應(yīng)用具有重大意義。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種選擇性圖案化制備二硫化鉿氮化硼異質(zhì)結(jié)材料的方法。
背景技術(shù)
近年來在電子學和光電子學方面,由于石墨烯的零帶隙特點,對光的吸收能力差且開關(guān)比低,限制了它的進一步應(yīng)用。因此,人們將研究重點轉(zhuǎn)向了具有一定帶隙寬度的過渡金屬硫?qū)倩?TMDs,MX2,M為過渡金屬如Mo、Hf等,X為S、Se等)。該材料具有眾多優(yōu)異的物理性能。首先,TMDs具有石墨烯材料所缺少的自然帶隙。再者,TMDs具有光致發(fā)光現(xiàn)象,為其在光電子器件方面的應(yīng)用提供了無限可能。此外,TMDs有著良好的柔韌性和透明度,單層TMDs場效應(yīng)晶體管有著將晶體管推向更小尺寸的巨大潛力。因此,TMDs將會是繼石墨烯之后又一個半導體材料研究熱點。
在眾多TMDs材料中,HfS2有著優(yōu)于其他材料的物理性能。譬如,HfS2室溫載流子遷移率理論預(yù)測值可達1800cm2·V-1·s-1,是熱門材料MoS2的50倍之多;再者,理論計算顯示基于HfS2的場效應(yīng)晶體管電流密度高達500μA·μm-1,遠高于其他過渡金屬硫化物材料。
六方氮化硼(h-BN)是良好的襯底和柵介質(zhì)層材料,其表面原子級的平整度可以減少其他異質(zhì)結(jié)材料在生長過程中界面處所產(chǎn)生的缺陷,提高材料的載流子遷移率。h-BN已被證明是石墨烯良好的襯底和柵介質(zhì)層材料,基于石墨烯/h-BN異質(zhì)結(jié)構(gòu)的器件在電學性能、穩(wěn)定性等方面均表現(xiàn)出明顯的優(yōu)勢。因此,有理由相信HfS2/h-BN異質(zhì)結(jié)材料在電學性能、穩(wěn)定性等方面也會有著巨大的提升和應(yīng)用價值。
但目前有關(guān)HfS2/h-BN異質(zhì)結(jié)材料的研究仍有多個難題需要解決。特別是在材料生長上的探索不足,機械剝離法制得的HfS2/h-BN異質(zhì)結(jié)材料存在著樣品尺寸小,材料厚度不可控,制備過程隨機性強等問題,很大程度上限制了其大規(guī)模集成化生產(chǎn)。
發(fā)明內(nèi)容
(一)要解決的技術(shù)問題
鑒于上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供了一種選擇性圖案化制備二硫化鉿氮化硼HfS2/h-BN異質(zhì)結(jié)材料的方法。本發(fā)明制備過程簡單、成本低、可控性強,對基于HfS2/h-BN材料的光電子學器件的大規(guī)模集成化生產(chǎn)和應(yīng)用具有重大意義。
(二)技術(shù)方案
根據(jù)本發(fā)明的一個方面,提供了一種選擇性圖案化制備二硫化鉿氮化硼HfS2/h-BN異質(zhì)結(jié)材料的方法,其包括以下步驟:步驟1、將h-BN晶疇或薄膜材料轉(zhuǎn)移至目標襯底上;步驟2、對轉(zhuǎn)移至目標襯底上的h-BN進行目標圖案化光刻;步驟3、在氧氣氣氛下對h-BN襯底進行退火處理,以去除h-BN表面殘留的有機物;步驟4、退火完成后,在h-BN襯底表面生長HfS2原子晶體,選擇性制備HfS2/h-BN異質(zhì)結(jié)材料。
(三)有益效果
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國科學院半導體研究所,未經(jīng)中國科學院半導體研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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