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[發(fā)明專利]選擇性圖案化制備二硫化鉿氮化硼異質(zhì)結(jié)材料的方法在審

專利信息
申請?zhí)枺?/td> 201711480048.7 申請日: 2017-12-29
公開(公告)號: CN108198753A 公開(公告)日: 2018-06-22
發(fā)明(設(shè)計)人: 王登貴;張興旺;尹志崗;孟軍華 申請(專利權(quán))人: 中國科學院半導體研究所
主分類號: H01L21/18 分類號: H01L21/18;H01L21/027;H01L21/324
代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021 代理人: 任巖
地址: 100083 *** 國省代碼: 北京;11
權(quán)利要求書: 查看更多 說明書: 查看更多
摘要:
搜索關(guān)鍵詞: 異質(zhì)結(jié)材料 襯底 選擇性圖案化 氮化硼 硫化 制備 退火 大規(guī)模集成化 光電子學器件 選擇性制備 薄膜材料 表面殘留 襯底表面 目標圖案 退火處理 氧氣氣氛 制備過程 重大意義 有機物 可控性 光刻 晶疇 去除 生長 應(yīng)用 生產(chǎn)
【說明書】:

發(fā)明提供了一種選擇性圖案化制備二硫化鉿氮化硼HfS2/h?BN異質(zhì)結(jié)材料的方法,其包括以下步驟:步驟1、將h?BN晶疇或薄膜材料轉(zhuǎn)移至目標襯底上;步驟2、對轉(zhuǎn)移至目標襯底上的h?BN進行目標圖案化光刻;步驟3、在氧氣氣氛下對h?BN襯底進行退火處理,以去除h?BN表面殘留的有機物;步驟4、退火完成后,在h?BN襯底表面生長HfS2原子晶體,選擇性制備HfS2/h?BN異質(zhì)結(jié)材料。本發(fā)明制備過程簡單、成本低、可控性強,對基于HfS2/h?BN材料的光電子學器件的大規(guī)模集成化生產(chǎn)和應(yīng)用具有重大意義。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種選擇性圖案化制備二硫化鉿氮化硼異質(zhì)結(jié)材料的方法。

背景技術(shù)

近年來在電子學和光電子學方面,由于石墨烯的零帶隙特點,對光的吸收能力差且開關(guān)比低,限制了它的進一步應(yīng)用。因此,人們將研究重點轉(zhuǎn)向了具有一定帶隙寬度的過渡金屬硫?qū)倩?TMDs,MX2,M為過渡金屬如Mo、Hf等,X為S、Se等)。該材料具有眾多優(yōu)異的物理性能。首先,TMDs具有石墨烯材料所缺少的自然帶隙。再者,TMDs具有光致發(fā)光現(xiàn)象,為其在光電子器件方面的應(yīng)用提供了無限可能。此外,TMDs有著良好的柔韌性和透明度,單層TMDs場效應(yīng)晶體管有著將晶體管推向更小尺寸的巨大潛力。因此,TMDs將會是繼石墨烯之后又一個半導體材料研究熱點。

在眾多TMDs材料中,HfS2有著優(yōu)于其他材料的物理性能。譬如,HfS2室溫載流子遷移率理論預(yù)測值可達1800cm2·V-1·s-1,是熱門材料MoS2的50倍之多;再者,理論計算顯示基于HfS2的場效應(yīng)晶體管電流密度高達500μA·μm-1,遠高于其他過渡金屬硫化物材料。

六方氮化硼(h-BN)是良好的襯底和柵介質(zhì)層材料,其表面原子級的平整度可以減少其他異質(zhì)結(jié)材料在生長過程中界面處所產(chǎn)生的缺陷,提高材料的載流子遷移率。h-BN已被證明是石墨烯良好的襯底和柵介質(zhì)層材料,基于石墨烯/h-BN異質(zhì)結(jié)構(gòu)的器件在電學性能、穩(wěn)定性等方面均表現(xiàn)出明顯的優(yōu)勢。因此,有理由相信HfS2/h-BN異質(zhì)結(jié)材料在電學性能、穩(wěn)定性等方面也會有著巨大的提升和應(yīng)用價值。

但目前有關(guān)HfS2/h-BN異質(zhì)結(jié)材料的研究仍有多個難題需要解決。特別是在材料生長上的探索不足,機械剝離法制得的HfS2/h-BN異質(zhì)結(jié)材料存在著樣品尺寸小,材料厚度不可控,制備過程隨機性強等問題,很大程度上限制了其大規(guī)模集成化生產(chǎn)。

發(fā)明內(nèi)容

(一)要解決的技術(shù)問題

鑒于上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供了一種選擇性圖案化制備二硫化鉿氮化硼HfS2/h-BN異質(zhì)結(jié)材料的方法。本發(fā)明制備過程簡單、成本低、可控性強,對基于HfS2/h-BN材料的光電子學器件的大規(guī)模集成化生產(chǎn)和應(yīng)用具有重大意義。

(二)技術(shù)方案

根據(jù)本發(fā)明的一個方面,提供了一種選擇性圖案化制備二硫化鉿氮化硼HfS2/h-BN異質(zhì)結(jié)材料的方法,其包括以下步驟:步驟1、將h-BN晶疇或薄膜材料轉(zhuǎn)移至目標襯底上;步驟2、對轉(zhuǎn)移至目標襯底上的h-BN進行目標圖案化光刻;步驟3、在氧氣氣氛下對h-BN襯底進行退火處理,以去除h-BN表面殘留的有機物;步驟4、退火完成后,在h-BN襯底表面生長HfS2原子晶體,選擇性制備HfS2/h-BN異質(zhì)結(jié)材料。

(三)有益效果

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該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國科學院半導體研究所,未經(jīng)中國科學院半導體研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服

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