[發(fā)明專利]一種發(fā)光二極管外延片的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711479910.2
• 申請(qǐng)日: 2017-12-29
• 公開（公告）號(hào): CN108281514B
• 公開（公告）日: 2020-06-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭炳磊;王群;魏曉駿;李鵬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華燦光電（蘇州）有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00;H01L33/14
• 代理公司: 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種發(fā)光二極管外延片的制備方法，所述制備方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底上依次生長緩沖層、未摻雜氮化鎵層、N型氮化鎵層、多量子阱層、電子阻擋層、P型氮化鎵層，所述多量子阱層包括交替生長的多個(gè)量子阱和多個(gè)量子壘；

其特征在于，所述制備方法還包括：

在每個(gè)所述量子阱生長之前，控制溫度為900℃～1300℃，采用氨氣對(duì)所述量子阱的生長表面進(jìn)行處理，使所述量子阱以氮極性表面進(jìn)行生長；

所述制備方法還包括：

采用氨氣對(duì)所述襯底的表面進(jìn)行處理；

控制生長溫度為900℃～1200℃，Ⅴ/Ⅲ比為40～200，采用三甲基鋁和三甲基鎵中的至少一種和氨氣，在所述襯底上生長原子極化調(diào)整層，所述原子極化調(diào)整層是由金屬元素和氮元素形成的化合物，所述金屬元素包括鋁和鎵中的至少一個(gè)，所述原子極化調(diào)整層與設(shè)置在所述襯底上的表面相反的表面為氮極性表面；所述原子極化調(diào)整層的厚度為20nm～200nm，所述緩沖層的厚度為50nm～100nm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括：

在采用氨氣對(duì)所述量子阱的生長表面進(jìn)行處理時(shí)，控制壓力為100torr～500torr。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述采用氨氣對(duì)所述量子阱的生長表面進(jìn)行處理，包括：

采用氨氣對(duì)所述量子阱的生長表面處理1min～5min。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述電子阻擋層為P型摻雜的鋁鎵氮層，所述電子阻擋層生長所述P型氮化鎵層的表面為氮極性表面。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述在所述襯底上依次生長緩沖層、未摻雜氮化鎵層、N型氮化鎵層、多量子阱層、電子阻擋層、P型氮化鎵層，包括：

在所述多量子阱層生長之后，采用氨氣對(duì)所述多量子阱層的表面進(jìn)行處理；

控制生長溫度為400℃～1200℃，Ⅴ/Ⅲ比為40～1200，采用氨氣和三甲基鋁、三甲基鎵生長電子阻擋層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述緩沖層為氮化鎵層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述提供一襯底，包括：

采用物理氣相沉積技術(shù)在藍(lán)寶石襯底上形成氮化鋁薄膜。