[發(fā)明專利]一種低負偏壓高能Ar有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711479893.2 | 申請日： | 2017-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN108165925B | 公開（公告）日： | 2020-01-10 |
| 發(fā)明（設計）人： | 蔡飛;方煒;張世宏;陳默含;張林;楊英 | 申請（專利權(quán)）人： | 馬鞍山市安工大工業(yè)技術(shù)研究院有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/02 | 分類號： | C23C14/02;C23C14/06;C23C14/32 |
| 代理公司： | 34153 合肥昊晟德專利代理事務所(普通合伙) | 代理人： | 王林 |
| 地址： | 243000 安徽省馬*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 負偏壓 清洗 刻蝕 復合涂層沉積 多弧離子鍍 高硬度材料 膜基結(jié)合力 表面防護 電子運動 高速切削 基材表面 離子轟擊 磨損性能 切削性能 清洗工藝 陽極靶材 抽真空 抗摩擦 真空爐 正負極 基材 轟擊 加熱 刀具 離子 牽引 應用 吸引 | ||
1.一種低負偏壓高能Ar+刻蝕清洗改善AlTiSiN涂層性能的方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)清洗基材
將多弧離子鍍的真空爐抽真空，然后通入Ar氣并加熱至450℃，開啟清洗圓柱形Ti靶，離化出大量Ti離子，同時通入氬氣，激發(fā)出Ar+對基體進行刻蝕清洗；
當爐內(nèi)真空度達到2.0×10-4Pa時，通入純度為99.999％的Ar氣并加熱至450℃，開啟Ti靶作為牽引電弧靶，控制清洗時的電流為40～100A，激發(fā)產(chǎn)生大量電子，開啟陽極靶材，與Ti靶構(gòu)成正負極牽引電子運動，電子與爐內(nèi)的Ar氣碰撞產(chǎn)生高密度的Ar+，基材負偏壓為-180V，吸引Ar+對基材表面進行離子轟擊，轟擊時間為30min；
(2)制備功能涂層
將AlTiSiN復合涂層沉積在步驟(1)處理后的基材上：基材表面離子轟擊結(jié)束后，關(guān)閉Ti靶，通入N2氣，控制爐內(nèi)壓強為3.5Pa，開啟AlTi靶，將靶材電流調(diào)至120A，基體偏壓設定為-60V，沉積時間120min；關(guān)閉AlTi靶，開啟AlTiSi靶，將靶材電流調(diào)至110A，基體偏壓設定為-70V，沉積時間100min。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低負偏壓高能Ar+刻蝕清洗改善AlTiSiN涂層性能的方法，所述步驟(1)中，通入Ar氣之前，真空爐抽真空為2.0×10-4Pa，通入Ar氣之后，調(diào)節(jié)壓強為4.0Pa。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低負偏壓高能Ar+刻蝕清洗改善AlTiSiN涂層性能的方法，其特征在于，所述AlTi靶的靶材摩爾含量比為Al：Ti＝67：33；所述AlTiSi靶靶材摩爾含量比為Al：Ti：Si＝60：30：10。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
