[發明專利]IC產品截面的納米級高精度制備方法在審
| 申請號： | 201711479741.2 | 申請日： | 2017-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN108267348A | 公開（公告）日： | 2018-07-10 |
| 發明（設計）人： | 喬彥彬;李建強;陳燕寧;邵瑾;趙揚;劉亮;馬強;竇海嘯;楊苗苗;張萌 | 申請（專利權）人： | 北京智芯微電子科技有限公司;國網信息通信產業集團有限公司;國家電網有限公司 |
| 主分類號： | G01N1/28 | 分類號： | G01N1/28;B82B3/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京中譽威圣知識產權代理有限公司 11279 | 代理人： | 李曉康;俞佳 |
| 地址： | 100192 北京市海淀區*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 粗磨 制備 研磨 納米級 樣品狀態 注塑 電流參數 截面樣品 研磨位置 樣品放置 樣品截面 辨識度 粗砂紙 細砂紙 樣品室 樣品臺 試驗 吹干 精磨 精修 細磨 粘貼 清洗 觀察 | ||
1.一種IC產品的樣品截面的納米級高精度制備方法，其特征在于，所述制備方法包括如下步驟：
S1.將所述IC產品的樣品注塑或者粘貼在陪片上，以得到待研磨樣品，利用光學顯微鏡對所述待研磨樣品進行初步觀察，并對所述待研磨樣品的待測區域進行標記，以方便研磨定位；
S2.采用粗砂紙對所述待研磨樣品進行粗磨處理至目標位置附近，以得到粗磨樣品；
S3.利用所述光學顯微鏡確認所述粗磨樣品的最終研磨位置和樣品狀態；
S4.若所述樣品狀態不符合試驗需求，則采用細砂紙對所述粗磨樣品進行精磨處理，以得到細磨樣品；若所述樣品狀態符合試驗需求，則直接進行下一步驟；
S5.對符合試驗需求的細磨樣品或粗磨樣品進行清洗、吹干處理，以得到待FIB處理樣品；
S6.將所述待FIB處理樣品放置于FIB樣品室中，根據所述待FIB處理樣品的研磨狀況調整FIB設備的樣品臺高度和旋轉角度；以及
S7.根據待FIB處理樣品的研磨狀況，調整所述FIB設備的電壓和電流參數進行截面精修處理，完成所述IC產品的樣品截面制備，并得到理想界面圖像。
2.根據權利要求1所述的納米級高精度制備方法，其特征在于，步驟S6中的所述樣品臺高度為4-6mm，所述旋轉角度為45°～59°。
3.根據權利要求1所述的納米級高精度制備方法，其特征在于，步驟S7中的所述電壓為30kV，所述電流為2.5nA～65nA。
4.根據權利要求1所述的納米級高精度制備方法，其特征在于，步驟S2中的所述粗砂紙的型號選擇200～600目砂紙中的一種或多種，所述粗磨處理的時間為1-5分鐘。
5.根據權利要求1所述的納米級高精度制備方法，其特征在于，步驟S4中的所述細砂紙的型號選擇800～1500目砂紙中的一種或多種，所述細磨處理的時間為0.5-1分鐘。
6.根據權利要求1所述的納米級高精度制備方法，其特征在于，步驟S5中使用有機溶劑和去離子水進行所述清洗處理。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京智芯微電子科技有限公司;國網信息通信產業集團有限公司;國家電網有限公司，未經北京智芯微電子科技有限公司;國網信息通信產業集團有限公司;國家電網有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711479741.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
