[發(fā)明專利]復(fù)合薄膜及其制備方法和應(yīng)用有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711479579.4 | 申請(qǐng)日: | 2017-12-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109994629B | 公開(公告)日: | 2021-01-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳龍佳 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | TCL科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L51/50 | 分類號(hào): | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳中一聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414 | 代理人: | 李艷麗 |
| 地址: | 516006 廣東省惠州市*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 復(fù)合 薄膜 及其 制備 方法 應(yīng)用 | ||
1.一種用于發(fā)光器件的電子傳輸層的復(fù)合薄膜,其特征在于,所述復(fù)合薄膜包括依次層疊結(jié)合的N層薄膜,所述N層薄膜均為納米氧化鋅薄膜,且從第一層薄膜到第N層薄膜,所述納米氧化鋅薄膜中的納米氧化鋅的粒徑逐層增加,其中,所述N的取值范圍滿足:3≤N≤9,所述第一層薄膜中的納米氧化鋅的粒徑為2-3nm;所述第N層薄膜中的納米氧化鋅的粒徑為8-10nm。
2.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合薄膜,其特征在于,所述復(fù)合薄膜中,單層納米氧化鋅的厚度為10-20nm,所述復(fù)合薄膜的總厚度為30-180nm。
3.一種用于發(fā)光器件的電子傳輸層的復(fù)合薄膜的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
提供鋅鹽、堿的混合溶液,分別制備納米氧化鋅的粒徑不同的氧化鋅膠體溶液;
提供基板,按照所述氧化鋅膠體溶液中納米氧化鋅的粒徑由小到大或由大到小的順序,在所述基板上依次沉積所述氧化鋅膠體溶液,制備納米氧化鋅的粒徑逐層增加或逐層減小的N層納米氧化鋅薄膜,得到復(fù)合薄膜,其中,所述N的取值范圍滿足:3≤N≤9,所述第一層薄膜中的納米氧化鋅的粒徑為2-3nm;所述第N層薄膜中的納米氧化鋅的粒徑為8-10nm。
4.如權(quán)利要求3所述的復(fù)合薄膜的制備方法,提供鋅鹽、堿的混合溶液,分別制備納米氧化鋅的粒徑不同的氧化鋅膠體溶液的步驟,包括:
改變所述鋅鹽、堿的混合溶液的反應(yīng)溫度,分別制備納米氧化鋅的粒徑不同的氧化鋅膠體溶液,其中,所述反應(yīng)溫度的范圍為0-90℃。
5.如權(quán)利要求4所述的復(fù)合薄膜的制備方法,其特征在于,制備粒徑最小的所述氧化鋅膠體溶液的反應(yīng)溫度為0-10℃,制備粒徑最大的所述氧化鋅膠體溶液的反應(yīng)溫度為70-90℃。
6.如權(quán)利要求3-5任一項(xiàng)所述的復(fù)合薄膜的制備方法,其特征在于,所述混合溶液中,氫氧根離子與金屬離子的摩爾比為1.5:1~2.5:1。
7.如權(quán)利要求3-5任一項(xiàng)所述的復(fù)合薄膜的制備方法,其特征在于,所述堿選自氫氧化鋰、氫氧化鈉、氫氧化鉀、TMAH、氨水、乙醇胺、乙二胺中的至少一種;和/或
所述鋅鹽選自醋酸鋅及其水合物、硝酸鋅及其水合物、硫酸鋅及其水合物、氯化鋅及其水合物中的至少一種。
8.一種發(fā)光器件,包括陽(yáng)極和陰極,以及設(shè)置在陽(yáng)極和陰極之間層疊結(jié)合的發(fā)光層和電子傳輸層,所述電子傳輸層靠近所述陰極設(shè)置,所述發(fā)光層靠近所述陽(yáng)極設(shè)置,其特征在于,所述電子傳輸層為權(quán)利要求1-2任一項(xiàng)所述的復(fù)合薄膜;或所述發(fā)光器件中包括如權(quán)利要求3-7任一項(xiàng)所述方法制備的復(fù)合薄膜,且沿著所述發(fā)光層到所述陰極的方向,從第一層薄膜到第N層薄膜,所述復(fù)合薄膜中納米氧化鋅的粒徑逐層增加。
9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光器件,其特征在于,所述發(fā)光器件為能夠發(fā)出藍(lán)色光和綠色光的量子點(diǎn)發(fā)光器件,所述量子點(diǎn)發(fā)光器件包括層疊結(jié)合的藍(lán)色或綠色量子點(diǎn)發(fā)光層、電子傳輸層和陰極,其中,所述電子傳輸層為所述復(fù)合薄膜。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于TCL科技集團(tuán)股份有限公司,未經(jīng)TCL科技集團(tuán)股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711479579.4/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





