[發(fā)明專利]一種復(fù)合材料及其制備方法、應(yīng)用有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711478596.6 | 申請(qǐng)日: | 2017-12-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109994627B | 公開(公告)日: | 2021-04-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李龍基;曹蔚然 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | TCL科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L51/50 | 分類號(hào): | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳中一聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414 | 代理人: | 李艷麗 |
| 地址: | 516006 廣東省惠州市*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 復(fù)合材料 及其 制備 方法 應(yīng)用 | ||
1.一種復(fù)合材料,其特征在于,所述復(fù)合材料由內(nèi)核和包覆所述內(nèi)核的殼層形成,所述內(nèi)核為BiOI,所述殼層為PMMA;
其中,所述殼層的厚度為1-5nm;
所述復(fù)合材料用于量子點(diǎn)發(fā)光器件,且所述復(fù)合材料設(shè)置于藍(lán)光量子點(diǎn)發(fā)光層與陰極之間。
2.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合材料,其特征在于,所述BiOI通過偶聯(lián)劑與所述PMMA結(jié)合。
3.如權(quán)利要求2所述的復(fù)合材料,其特征在于,所述偶聯(lián)劑為甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷中至少的一種。
4.一種復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括如下步驟:
提供BiOI,通過偶聯(lián)劑對(duì)BiOI進(jìn)行表面改性,得到改性BiOI;
將所述改性BiOI分散于極性溶劑中,攪拌均勻后加入甲基丙烯酸甲酯單體進(jìn)行反應(yīng),得到表面結(jié)合甲基丙烯酸甲酯單體改性BiOI的混合溶液;
將所述混合溶液進(jìn)行攪拌加熱,并加入引發(fā)劑進(jìn)行聚合反應(yīng),使甲基丙烯酸甲酯單體聚合生成PMMA,分離提純,干燥,得到PMMA包覆BiOI的復(fù)合材料;
其中,PMMA層的厚度為1-5nm;
所述復(fù)合材料用于量子點(diǎn)發(fā)光器件,且所述復(fù)合材料設(shè)置于藍(lán)光量子點(diǎn)發(fā)光層與陰極之間。
5.一種量子點(diǎn)發(fā)光器件,其特征在于,所述量子點(diǎn)發(fā)光器件包括陽極、藍(lán)光量子點(diǎn)發(fā)光層、修飾層、陰極,所述藍(lán)光量子點(diǎn)發(fā)光層設(shè)置在所述陽極與所述陰極之間,所述修飾層設(shè)置在藍(lán)光量子點(diǎn)發(fā)光層與陰極之間,所述修飾層由權(quán)利要求1-3任一所述的復(fù)合材料組成。
6.如權(quán)利要求5所述的量子點(diǎn)發(fā)光器件,其特征在于,所述量子點(diǎn)發(fā)光器件還包括設(shè)置在所述陽極與所述藍(lán)光量子點(diǎn)發(fā)光層之間的空穴功能層;和/或
設(shè)置在所述陰極與所述修飾層之間的電子功能層。
7.如權(quán)利要求5或6所述的量子點(diǎn)發(fā)光器件,其特征在于,所述修飾層的厚度為1-10nm。
8.一種發(fā)光器件的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括如下步驟:
提供預(yù)制器件,在預(yù)制器件上沉積藍(lán)光量子點(diǎn)發(fā)光層;
在所述藍(lán)光量子點(diǎn)發(fā)光層上沉積復(fù)合材料形成修飾層,所述復(fù)合材料為權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的復(fù)合材料或權(quán)利要求4所述制備方法制備的復(fù)合材料;或者
提供預(yù)制器件,在預(yù)制器件上沉積復(fù)合材料形成修飾層,所述復(fù)合材料為權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的復(fù)合材料或權(quán)利要求4所述制備方法制備的復(fù)合材料;
在所述修飾層上沉積藍(lán)光量子點(diǎn)發(fā)光層。
9.如權(quán)利要求8所述的制備方法,其特征在于,所述復(fù)合材料沉積時(shí)溶液的濃度為0.5-8mg/ml。
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H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
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