[發(fā)明專利]一種GaN基垂直結(jié)構(gòu)LED器件轉(zhuǎn)移襯底的制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711477659.6
• 申請(qǐng)日: 2017-12-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108123020A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫永健;張戌有;胡勇;王光普;郭堅(jiān)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 保定金陽(yáng)光能源裝備科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/20
• 分類號(hào): H01L33/20;H01L33/32;C25D5/10;C25D5/12;C25D5/14;C25D7/12
• 代理公司: 保定市燕趙恒通知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 13121
• 代理人: 王葶葶

1.一種GaN基垂直結(jié)構(gòu)LED器件轉(zhuǎn)移襯底的制備方法，其特征在于：樣品為生長(zhǎng)在藍(lán)寶石襯底上的GaN，其包括以下步驟，

(1)首先將樣品放入第一金屬電鍍池內(nèi)進(jìn)行電鍍；第一金屬電鍍池內(nèi)的金屬為銅Cu、鈷Co、鈀Pd、金Au、銀Ag中的一種，電鍍用電流為1A～10A，電鍍金屬層厚度為10～15微米；

(2)再將電鍍第一金屬層后的樣品放入第二金屬電鍍池內(nèi)進(jìn)行電鍍；第二金屬電鍍池內(nèi)的金屬為鎳Ni或鎢W，電鍍用電流為2A～20A，電鍍金屬層厚度為15～25微米；

(3)將電鍍第二金屬層后的樣品放入第三金屬電鍍池內(nèi)進(jìn)行電鍍；第三金屬電鍍池內(nèi)的金屬為鉑Pt、鋁Al、鉻Cr和鈦Ti中的一種，，電鍍用電流為3A～15A，電鍍金屬層厚度為20～30微米；

(4)將電鍍第三金屬層后的樣品放入第二金屬電鍍池內(nèi)進(jìn)行電鍍；第二金屬電鍍池內(nèi)的金屬為鎳Ni或鎢W，電鍍用電流為2A～20A，電鍍金屬層厚度為15～25微米；

(5)將電鍍第四金屬層后的樣品放入第一金屬電鍍池內(nèi)進(jìn)行電鍍；第一金屬電鍍池內(nèi)的金屬為銅Cu、鈷Co、鈀Pd、金Au、銀Ag中的一種，電鍍用電流為1A～10A，電鍍金屬層厚度為10～15微米；

(6)將電鍍第五金屬層后的樣品放入第二金屬電鍍池內(nèi)進(jìn)行電鍍；第二金屬電鍍池內(nèi)的金屬為鎳Ni或鎢W，電鍍用電流為2A～20A，電鍍金屬層厚度為15～25微米；

(7)將電鍍第六金屬層后的樣品放入第三金屬電鍍池內(nèi)進(jìn)行電鍍；第三金屬電鍍池內(nèi)的金屬為鉑Pt、鋁Al、鉻Cr和鈦Ti中的一種，，電鍍用電流為3A～15A，電鍍金屬層厚度為20～30微米。