[發明專利]相變化記憶體及其制造方法

有效

• 申請號: 201711476762.9
• 申請日: 2015-12-16
• 公開（公告）號: CN108172684B
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發明（設計）人: 蘇水金
• 申請（專利權）人: 江蘇時代全芯存儲科技股份有限公司;江蘇時代芯存半導體有限公司;英屬維京群島商時代全芯科技有限公司
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00;H01L27/24
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種制造相變化記憶體的方法，其特征在于，包含：

形成一下電極；

以一圖案化制程形成一弓形加熱器于該下電極上方；

形成一第一絕緣層覆蓋該弓形加熱器；

形成一上電極于該第一絕緣層上；

沉積一相變化層共形地覆蓋該第一絕緣層與該上電極；

非等向性移除該上電極上方的該相變化層以暴露出該上電極，而形成一環狀相變化層圍繞該第一絕緣層與該上電極，其中該環狀相變化層接觸該弓形加熱器外側周圍的一弧面；

沉積一第二絕緣層覆蓋該上電極與該環狀相變化層；以及

對該第二絕緣層、該上電極及該環狀相變化層進行一平坦化制程，使該環狀相變化層的頂表面、該上電極的頂表面與該第二絕緣層的頂表面共平面。

2.根據權利要求1所述的制造相變化記憶體的方法，其特征在于，在形成該下電極之前，還包含：

提供一基板；以及

形成一主動元件于該基板上，其中該下電極耦接該主動元件。

3.根據權利要求1所述的制造相變化記憶體的方法，其特征在于，在以該圖案化制程形成該弓形加熱器于該下電極上方的步驟前，還包含：

沉積一阻障層于該下電極上方。

4.根據權利要求3所述的制造相變化記憶體的方法，其特征在于，還包含：

圖案化該阻障層以形成一圖案化阻障層，且該圖案化阻障層暴露部分該下電極；以及

移除部分該圖案化阻障層以形成一弓形阻障件于該下電極與該弓形加熱器之間。

5.根據權利要求3所述的制造相變化記憶體的方法，其特征在于，該阻障層包含氮化鉭。

6.一種相變化記憶體，其特征在于，包含：

一下電極，耦接一主動元件；

一第一絕緣層，位于該下電極上方；

一上電極，位于該第一絕緣層上方；

一弓形加熱器，嵌于該第一絕緣層中；以及

一環狀相變化層，圍繞該第一絕緣層與該上電極，其中該環狀相變化層接觸該弓形加熱器的一弧面，該弓形加熱器具有一最大重疊寬度于垂直投影方向與該下電極重疊，且該最大重疊寬度小于該下電極的一截面寬度，該環狀相變化層的頂表面與該上電極的頂表面共平面。

7.根據權利要求6所述的相變化記憶體，其特征在于，該最大重疊寬度與該下電極的該截面寬度的比值介于0.2至0.33之間。

8.根據權利要求6所述的相變化記憶體，其特征在于，該弓形加熱器的徑度介于π/2至π之間。