[發明專利]一種高響應速度的熔斷器

在審

• 申請號: 201711476570.8
• 申請日: 2017-12-29
• 公開（公告）號: CN108010823A
• 公開（公告）日: 2018-05-08
• 發明（設計）人: 王偉;石曉光;韋張恒
• 申請（專利權）人: 西安中熔電氣股份有限公司
• 主分類號: H01H85/38
• 分類號: H01H85/38;H01H39/00
• 代理公司: 蘇州潤桐嘉業知識產權代理有限公司 32261
• 代理人: 胡思棉

1.一種高響應速度的熔斷器，其特征在于包括上蓋和下殼體，在上蓋和下殼體之間設置有與電路連接的導電板；在所述導電板與所述上蓋之間設置有絕緣滅弧隔膜；在所述上蓋內設置空腔，所述空腔上端密封下端開口；所述空腔的下端開口與所述絕緣滅弧隔膜接觸；在所述空腔內設置于氣體發生裝置；在所述下殼體內前后相對間隔設置有前滅弧柵片和后滅弧柵片，所述后滅弧柵片靠近所述前滅弧柵片的一端固定在隔板上，所述前滅弧柵片靠近所述后滅弧柵片的一端的下端固定在所述隔板下端上，所述隔板將所述前滅弧柵片和后滅弧柵片相對的兩端隔斷并形成一供所述導電板斷裂后滑落的容置腔室；在位于所述容置腔室的上端開口的兩端內的所述導電板的下面開設有橫跨所述導電板寬度的斷裂凹槽；在所述前滅弧柵片和后滅弧柵片與下殼體底板之間設置有與所述前滅弧柵片和后滅弧柵片連通的緩沖腔室；所述后滅弧柵片通過設置在所述下殼體上的氣體排出口與外部連通；所述前滅弧柵片各柵片間的間隙為氣體從所述容置腔室溢出的溢出通道。

2.根據權利要求1所述的高響應速度的熔斷器，其特征在于在位于所述容置腔室的上端開口相對于所述斷裂凹槽所在一端的另一側內的導電板上面開設有橫跨所述導電板寬度的折彎凹槽；所述斷裂凹槽位于遠離所述折彎凹槽的所述容置腔室的上端開口一側內。

3.根據權利要求1所述的高響應速度的熔斷器，其特征在于在位于所述容置腔室的上端開口的兩端內側的所述導電板的下面分別開設有一所述斷裂凹槽。

4.根據權利要求1所述的高響應速度的熔斷器，其特征在于在位于所述容置腔室的上端開口的兩端內側的所述導電板的上面分別開設有一所述折彎凹槽；在位于兩所述折彎凹槽之間的所述導電板下面開設有一所述斷裂凹槽。

5.根據權利要求2至4任一所述的高響應速度的熔斷器，其特征在于所述斷裂凹槽為V型斷裂凹槽。

6.根據權利要求2至4任一所述的高響應速度的熔斷器，其特征在于所述折彎凹槽為U型折彎凹槽。

7.根據權利要求2所述的高響應速度的熔斷器，其特征在于所述前滅弧柵片為垂直設置，所述前滅弧柵片靠近所述后滅弧柵片一側的端面為弧形面。

8.根據權利要求7所述的高響應速度的熔斷器，其特征在于所述隔板為斜向設置的向所述前滅弧柵片傾斜的斜面隔板，在所述斜面隔板的下端設置有斜向上傾斜的勾角，所述前滅弧柵片靠近所述隔板的一端的下端固定設置在所述勾角上，在所述前滅弧柵片和后滅弧柵片之間形成所述的容置腔室。

9.根據權利要求7所述的高響應速度的熔斷器，其特征在于在所述前滅弧柵片平行或垂直于所述下殼體的前側壁，當所述前滅弧柵片垂直于所述前側壁時，所述前滅弧柵片上端部的各柵片間的間隙被密封形成數道氣體溢出槽。

10.根據權利要求3至4任一所述的高響應速度的熔斷器，其特征在于所述隔板為L型結構，所述前滅弧柵片靠近隔板一側的端面為垂直平面。

11.根據權利要求1所述的高響應速度的熔斷器，其特征在于所述氣體發生裝置包括點火裝置、火藥室；所述點火裝置上設置有可與外部傳感器連通的點火電極。

12.根據權利要求1所述的高響應速度的熔斷器，其特征在于所述絕緣滅弧隔膜為柔性隔膜，在所述柔性隔膜表涂覆有一層滅弧物質。