[發(fā)明專利]基板處理方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711475467.1
• 申請日: 2017-12-29
• 公開（公告）號: CN108428624B
• 公開（公告）日: 2021-12-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 田中裕二;中山知佐世;春本將彥;淺井正也;福本靖博;松尾友宏;石井丈晴
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社斯庫林集團(tuán)
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 向勇;董雅會

1.一種基板處理方法，將形成有處理膜的基板載置于熱處理腔室內(nèi)的熱處理空間中來進(jìn)行熱處理，其中，所述基板處理方法包括：

排氣步驟，排出所述熱處理空間內(nèi)的氣體；

非活性氣體供給步驟，對所述熱處理空間供給非活性氣體；以及

熱處理步驟，在所述非活性氣體供給步驟之后，一邊將所述熱處理空間的內(nèi)部維持為正壓，一邊對所述熱處理空間中的基板進(jìn)行熱處理，

所述非活性氣體供給步驟，由所述排氣步驟之后的第一非活性氣體供給步驟和所述熱處理步驟之前且所述第一非活性氣體供給步驟之后的第二非活性氣體供給步驟構(gòu)成，

在所述第一非活性氣體供給步驟中，一邊維持所述排氣步驟的排氣，一邊使所述第一非活性氣體供給步驟中的非活性氣體的供給量為僅能夠使所述熱處理腔室內(nèi)維持負(fù)壓的供給量，

在所述第二非活性氣體供給步驟中，停止所述排氣步驟中的排氣，對所述熱處理腔室內(nèi)僅供給非活性氣體，使所述第二非活性氣體供給步驟中的非活性氣體的供給量為僅能夠使所述熱處理腔室的內(nèi)部處于正壓的供給量。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理方法，其特征在于，

在預(yù)先測量從所述排氣步驟到所述熱處理空間內(nèi)的氧氣濃度變?yōu)槟繕?biāo)值以下的經(jīng)過時(shí)間，并將所述經(jīng)過時(shí)間作為熱處理過渡時(shí)間的情況下，

在從所述排氣步驟經(jīng)過了所述熱處理過渡時(shí)間的時(shí)刻，過渡到所述熱處理步驟。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理方法，其特征在于，

在所述熱處理步驟之前，實(shí)施測量所述熱處理空間的氧氣濃度的氧氣濃度測量步驟，

僅在所述氧氣濃度為目標(biāo)值以下的情況下，實(shí)施所述熱處理步驟。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理方法，其特征在于，

在所述熱處理步驟之前，實(shí)施測量所述熱處理空間的氧氣濃度的氧氣濃度測量步驟，

僅在所述氧氣濃度為目標(biāo)值以下的情況下，實(shí)施所述熱處理步驟。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板處理方法，其特征在于，

在所述氧氣濃度測量步驟中的所述氧氣濃度未達(dá)到目標(biāo)值以下的情況下，發(fā)出警報(bào)。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板處理方法，其特征在于，

在所述氧氣濃度測量步驟中的所述氧氣濃度未達(dá)到目標(biāo)值以下的情況下，發(fā)出警報(bào)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的基板處理方法，其特征在于，

在所述排氣步驟中，從排氣口排出氣體，所述排氣口形成于所述熱處理腔室的側(cè)方，所述排氣口的流路截面積與所述熱處理空間的縱向截面積相等。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理方法，其特征在于，

在所述排氣步驟中通過貫通口排出氣體，在所述貫通口中穿過有通過載置基板的熱處理板進(jìn)退的支撐銷，并且所述貫通口與所述熱處理空間連通。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理方法，其特征在于，

在所述基板上形成有由定向自組裝材料構(gòu)成的處理膜。