[發明專利]一種垂直LED芯片的導電膜測試方法

在審

• 申請號: 201711475444.0
• 申請日: 2017-12-29
• 公開（公告）號: CN108281364A
• 公開（公告）日: 2018-07-13
• 發明（設計）人: 張海旭;陳黨盛;王亞洲
• 申請（專利權）人: 映瑞光電科技（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249
• 代理人: 朱成之;周乃鑫

本發明公開了一種垂直LED芯片的導電膜測試方法，該方法包含以下過程：將待測試的垂直LED芯片放置在作為襯臺物的導電膜上；更換測試機的平臺及測試機接線方式；將放置有待測試的垂直LED芯片導電膜進行翻轉，將所述待測試的垂直LED芯片翻轉至其他的導電膜；測試所述其他的導電膜上的待測試的垂直LED芯片。本發明通過使用導電膜+測試機平臺改造，實現垂直LED芯片的背面導電測試，有效降低成本，提升產品品質，本發明還可以涵蓋不同條件下抽測、全測及QC檢驗測試。

技術領域

本發明涉及垂直LED芯片的測試領域，特別涉及一種垂直LED芯片的導電膜測試方法。

背景技術

傳統的LED芯片通常呈四邊形，并且其結構有兩種：橫向結構(Lateral))和垂直結構(Vertical)。其中，垂直結構LED芯片的兩個電極分別在LED外延層的兩側，由于圖形化電極和全部的p型氮化鎵層作為第二電極，使得電流幾乎全部垂直流過LED外延層，極少有橫向流動的電流，因而可改善平面結構的電流分布問題，提高發光效率，也可以解決P電極的遮光問題，提升LED的發光面積。

目前垂直LED芯片的制備工藝主要為，在襯底上(一般為藍寶石材料)生長GaN在該GaN基外延層上制作接觸層和金屬反光鏡層，然后采用電鍍或基板鍵合(Waferbonding)的方式制作導熱性能良好的導熱基板，同時也作為GaN基外延層的新襯底，再通過激光剝離的方法使藍寶石襯底和GaN基外延層分離，外延層轉移到金屬基板上，這樣使得LED芯片的散熱性能會更好，之后再形成N型電極和P型電極。

具體地，圖1所示為現有技術中垂直LED芯片的結構示意圖；垂直LED芯片包括依次連接的P型電極10、P型GaN層20、量子阱層30、N型GaN層40以及N型電極50。

芯片測試是指在芯片封裝前，先進行一部分的測試以排除掉一些壞掉的芯片，保證出廠的芯片都是沒問題的。

綜上所述，受垂直LED芯片產品工藝結構特性限制，正常測試探針無法測至芯片背面電極層，導致垂直產品回測檢驗時，無法有效檢測出產品的質量，為了解決這一問題，人們通常需要使用特制機器設備，或是人工手動進行單顆測試，效率低且成本較高。

發明內容

本發明的目的是提供一種垂直LED芯片的導電膜測試方法，通過將絕緣的藍膜替換成一種可導電的藍膜，并對應的將測試機平臺進行改造，實現垂直LED的背面導電測試，可減少異常芯片的流出風險，有效提升芯片產品的可靠性。

為了達到上述目的，本發明提供的一種垂直LED芯片的導電膜測試方法，該方法包含以下過程：

將待測試的垂直LED芯片放置在作為襯臺物的導電膜上；

更換測試機的平臺及測試機接線方式；

將放置有待測試的垂直LED芯片的導電膜進行翻轉，將所述待測試的垂直LED芯片翻轉至其他的導電膜上；

測試所述其他的導電膜上的待測試的垂直LED芯片。

優選地，所述導電膜包含金屬或合金。

優選地，所述導電膜由金屬絲或合金絲編制而成。

優選地，金屬的導電膜包含Ni、Br、Au、Cu、Sn、Ag中的任意一種或者它們的組合。

優選地，所述導電膜的大小與待測試的垂直LED芯片的數量和分布相匹配。

優選地，翻轉前的導電膜上的垂直LED芯片的正面為發光層，背面為金屬導電層。

優選地，所述導電膜上待測試的垂直LED芯片形狀為方形。

優選地，所述垂直LED芯片包括依次連接的P型電極、P型GaN層、量子阱層、N型GaN層以及N型電極。