[發明專利]一種薄膜的制備方法與QLED器件

有效

• 申請號: 201711474979.6
• 申請日: 2017-12-29
• 公開（公告）號: CN109994653B
• 公開（公告）日: 2020-10-27
• 發明（設計）人: 何斯納;吳龍佳;吳勁衡
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/50;H01L51/54;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

1.一種QLED器件，包括空穴傳輸層，其特征在于，所述空穴傳輸層為采用如下制備方法得到的薄膜，所述制備方法包括步驟：

將單糖、鉬源和硫源溶解于水中，經水熱反應得到MoS₂納米片/多糖的二元復合前驅體，將所述MoS₂納米片/多糖的二元復合前驅體經焙燒處理得到MoS₂納米片/C的二元復合材料；

將所述MoS₂納米片/C的二元復合材料和金源混合，在含有還原氣體的惰性氣氛下經焙燒處理得到Au納米顆粒-MoS₂納米片/C三元復合材料；

將所述Au納米顆粒-MoS₂納米片/C三元復合材料溶于溶劑中，得到Au納米顆粒-MoS₂納米片/C三元復合材料溶液，在基板上沉積所述Au納米顆粒-MoS₂納米片/C三元復合材料溶液后，退火得到所述薄膜。

2.根據權利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述單糖選自戊糖和己糖中的一種；

和/或所述鉬源選自鉬酸鈉、鉬酸胺、鉬酸鉀和鉬酸鎂中的一種；

和/或所述硫源選自硫脲、多硫化鈉、硫代乙酰胺和硫化胺中的一種。

3.根據權利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述單糖選自葡萄糖、果糖、核糖和半乳糖中的一種。

4.根據權利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述水熱反應溫度為180-220℃，水熱反應時間為20-28h。

5.根據權利要求1所述的QLED器件，其特征在于，在將所述MoS₂納米片/多糖的二元復合前驅體經焙燒處理得到MoS₂納米片/C的二元復合材料的步驟中，所述焙燒處理溫度為750-850℃，焙燒處理時間為4-6h。

6.根據權利要求1所述的QLED器件，其特征在于，按鉬元素與硫元素的摩爾比為1：（2~2.5），將單糖、所述鉬源和硫源溶解于水中。

7.根據權利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述金源選自氯化金和溴化金中的一種。

8.根據權利要求1所述的QLED器件，其特征在于，按MoS₂納米片/C的二元復合材料與金源的質量比為1：（0.01~0.05），將所述MoS₂納米片/C的二元復合材料和金源混合。

9.根據權利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述MoS₂納米片/C的二元復合材料中，碳元素與MoS₂納米片的質量比為1:0.1-0.4。

10.根據權利要求1所述的QLED器件，其特征在于，在含有還原氣體的惰性氣氛下經焙燒處理得到Au納米顆粒-MoS₂納米片/C三元復合材料的步驟中，所述焙燒處理溫度為250-350℃，焙燒處理時間為1-3h；和/或所述含有還原氣體的惰性氣氛中，所述還原氣體的體積分數為5%-10%。