[發明專利]降低半導體器件反向漏電流的方法

在審

• 申請號: 201711472968.4
• 申請日: 2017-12-29
• 公開（公告）號: CN108364868A
• 公開（公告）日: 2018-08-03
• 發明（設計）人: 魏興政;李浩
• 申請（專利權）人: 濟南蘭星電子有限公司
• 主分類號: H01L21/329
• 分類號: H01L21/329
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種降低半導體器件反向漏電流的方法，其特征在于，具體包括以下步驟：

1)原片清洗，用酸洗或堿洗方式將硅片表面清洗干凈；

2)擴散，在硅片上摻雜P型和N型雜質以形成PN結；

3)吹砂，將擴散后硅片表面的氧化層和雜質用金剛砂去除；

4)一次清洗，用酸洗或堿洗方式將硅片表面的金剛砂和雜質清洗干凈；

5)光刻，在硅片表面涂布一層光刻膠，依次通過曝光、顯影、定影和堅膜，將掩膜版上的設計圖形轉移至硅片表面；

6)臺面腐蝕，使用混合酸將未被光刻膠覆蓋部分腐蝕出溝槽，充分暴露PN結；

7)二次清洗，使用酸洗和堿洗相結合，將硅片表面清洗干凈；

8)鈍化，使用絕緣層將暴露的PN結鈍化保護；

9)金屬化，用化學鍍鎳方式先在硅片表面鍍上一層鎳，再在500-700℃的高溫下進行鎳燒結，在鎳燒結時通入氫氣和氮氣，燒結完成后在70℃以上的硝酸中浸泡1-10分鐘，再在表面鍍上一層鎳和金層；

10)電性測試，按照電性設計要求將電性失效的芯片做上標記；

11)劃片：將制作在硅片上的芯片按設計尺寸劃開，分離成單個的半導體器件。

2.根據權利要求1所述的一種降低半導體器件反向漏電流的方法，其特征在于，所述步驟4)中的雜質為為金屬離子、顆粒或油垢。

3.根據權利要求2所述的一種降低半導體器件反向漏電流的方法，其特征在于，所述步驟8)中的絕緣層的材料為玻璃。