[發明專利]一種TiN納米粒子光熱制劑及其制備方法和應用在審
| 申請號: | 201711472679.4 | 申請日: | 2017-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN108159415A | 公開(公告)日: | 2018-06-15 |
| 發明(設計)人: | 姚愛華;胥妍;孫兵妹;王德平 | 申請(專利權)人: | 同濟大學 |
| 主分類號: | A61K41/00 | 分類號: | A61K41/00;A61K47/69;A61K47/58;A61P35/00 |
| 代理公司: | 上海正旦專利代理有限公司 31200 | 代理人: | 張磊 |
| 地址: | 200092 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光熱 納米粒子 制備方法和應用 聚苯乙烯磺酸鈉 二甲基氯化銨 聚二丙烯基 生物相容性 表面包覆 超聲反應 光熱治療 聚電解質 納米粉末 細胞層面 原位氮化 氨氣流 癌細胞 兩層 制備 洗滌 殺死 腫瘤 應用 | ||
1.一種TiN納米粒子的光熱制劑,其特征在于:包括TiN納米粒子、聚二丙烯基二甲基氯化銨聚電解質和聚苯乙烯磺酸鈉聚電解質,所述聚二丙烯基二甲基氯化銨聚電解質為陽離子聚電解質,通過靜電引力吸附在表面帶負電的TiN納米粒子表面,形成第一層吸附,所述聚苯乙烯磺酸鈉聚電解質為陰離子聚電解質,通過靜電引力吸附在聚二丙烯基二甲基氯化銨包覆的TiN納米粒子表面,形成第二層吸附;所述TiN納米粒子、聚二丙烯基二甲基氯化銨聚電解質和聚苯乙烯磺酸鈉聚電解質的質量比(1~3):(8~12):(5~12)。
2.根據權利要求1所述的一種TiN納米粒子光熱制劑,其特征在于:所述TiN納米粒子的尺寸為30-100nm。
3.根據權利要求1所述的一種TiN納米粒子光熱制劑,其特征在于:所述聚二丙烯基二甲基氯化銨聚電解質的重均分子量為5000-20000、聚苯乙烯磺酸鈉聚電解質的重均分子量為2000-10000。
4.一種如權利要求2所述的TiN納米粒子光熱制劑的制備方法,其特征在于:包括如下步驟:
(1)將30-100nm的二氧化鈦納米粒子在氨氣環境中進行原位氮化處理,得到TiN納米粒子;
(2)將步驟(1)得到的TiN納米粒子分散在聚二丙烯基二甲基氯化銨的水溶液中,超聲反應后,高速離心,得到聚二丙烯基二甲基氯化銨包覆的TiN納米粒子,然后將所述聚二丙烯基二甲基氯化銨包覆的TiN納米粒子分散在聚苯乙烯磺酸鈉的水溶液中,超聲反應后,高速離心,得到聚二丙烯基二甲基氯化銨和聚苯乙烯磺酸鈉雙層包覆的TiN納米粒子。
5.根據權利要求4所述的制備方法,其特征在于:步驟(1)中,所述原位氮化處理包括如下步驟:將TiO2納米粒子在流速為200~400ml/min的氨氣氣流中,以3-5℃/min的升溫速度從室溫升高至700-900℃后,保溫2-5h。
6.根據權利要求4所述的制備方法,其特征在于:步驟(2)中,聚二丙烯基二甲基氯化銨水溶液的濃度為0.05wt-4wt%,體積為20-100ml;聚苯乙烯磺酸鈉水溶液的濃度為0.05wt-4wt%,體積為20-100ml。
7.根據根據權利要求4所述制備方法,其特征在于:步驟(2)中,超聲功率為500-1000W,超聲反應時間為20-40min。
8.根據根據權利要求4所述制備方法,其特征在于:步驟(2)中,離心轉速為7000-10000rpm,離心時間為10-30min。
9.一種如權利要求1所述的一種TiN納米粒子光熱制劑在殺死胰腺癌細胞中的應用。
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