[發(fā)明專利]電子傳輸薄膜及其制備方法和應(yīng)用

在審

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• 申請日: 2017-12-29
• 公開（公告）號: CN109994620A
• 公開（公告）日: 2019-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳龍佳
• 申請（專利權(quán)）人: TCL集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56;B82Y30/00
• 代理公司: 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所 44237
• 代理人: 黃志云

1.一種電子傳輸薄膜，其特征在于，所述電子傳輸薄膜由含有至少一種摻雜金屬離子的納米氧化鋅組成，所述摻雜金屬離子的納米氧化鋅為表面富集所述金屬離子的納米氧化鋅。

2.如權(quán)利要求1所述的電子傳輸薄膜，其特征在于，所述摻雜金屬離子的價態(tài)不為正二價，且所述摻雜金屬離子的離子半徑為Zn²⁺半徑的130％-200％。

3.如權(quán)利要求1所述的電子傳輸薄膜，其特征在于，所述摻雜金屬離子為稀土金屬離子。

4.如權(quán)利要求3所述的電子傳輸薄膜，其特征在于，所述摻雜金屬離子選自La³⁺、Y³⁺、Gd³⁺、Ce⁴⁺中的至少一種。

5.如權(quán)利要求4所述的電子傳輸薄膜，其特征在于，所述電子傳輸薄膜為含有一種摻雜金屬離子的納米氧化鋅電子傳輸薄膜，且以所述電子傳輸薄膜中金屬元素摩爾總濃度為100％計，所述La³⁺的摻雜摩爾濃度為0.05％～5％；或

所述Y³⁺的摻雜摩爾濃度為0.1％～10％；或

所述Gd³⁺的摻雜摩爾濃度為0.1％～8％；或

所述Ce⁴⁺的摻雜摩爾濃度為0.2％～10％。

6.如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的電子傳輸薄膜，其特征在于，所述電子傳輸薄膜的厚度為10-100nm。

7.一種電子傳輸薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供鋅鹽、含有摻雜金屬離子的金屬鹽、堿的混合溶液，反應(yīng)制備含有摻雜金屬離子的氧化鋅納米顆粒；

在基板上沉積所述含有摻雜金屬的氧化鋅納米顆粒的溶液，干燥成膜，得到電子傳輸薄膜。

8.如權(quán)利要求7所述的電子傳輸薄膜的制備方法，其特征在于，所述摻雜金屬離子的價態(tài)不為正二價，且所述摻雜金屬離子的離子半徑為Zn²⁺半徑的130％-200％。

9.如權(quán)利要求7所述的電子傳輸薄膜的制備方法，其特征在于，所述摻雜金屬離子選自La³⁺、Y³⁺、Gd³⁺、Ce⁴⁺中的至少一種；和/或

所述鋅鹽、含有摻雜金屬離子的金屬鹽、堿的混合溶液中，所述摻雜金屬離子占金屬離子總摩爾濃度的0.05％-10％。

10.如權(quán)利要求7-9任一項(xiàng)所述的電子傳輸薄膜的制備方法，其特征在于，所述鋅鹽、含有摻雜金屬離子的金屬鹽、堿的混合溶液中，氫氧根離子與金屬離子的摩爾比為1.5:1～2.5:1。

11.如權(quán)利要求7-9任一項(xiàng)所述的電子傳輸薄膜的制備方法，其特征在于，提供鋅鹽、含有摻雜金屬離子的金屬鹽、堿的混合溶液，反應(yīng)制備含有摻雜金屬離子的氧化鋅納米顆粒的步驟包括：將所述鋅鹽、含有摻雜金屬離子的金屬鹽、堿的混合溶液，在0-70℃條件下反應(yīng)30-240min，制備含有摻雜金屬離子的氧化鋅納米顆粒。

12.如權(quán)利要求7-9任一項(xiàng)所述的電子傳輸薄膜的制備方法，其特征在于，所述含有摻雜金屬離子的金屬鹽選自硫酸鑭、氯化鑭、硝酸鑭、醋酸鑭、硫酸釔、氯化釔、醋酸釔、硝酸釔、硝酸釓、醋酸釓、硫酸釓、氯化釓、氯化鈰、醋酸鈰、硫酸鈰、氯化鈰及其金屬鹽水合物中的至少一種；和/或

所述堿選自氫氧化鋰、氫氧化鈉、氫氧化鉀、TMAH、氨水、乙醇胺、乙二胺中的至少一種。