[發(fā)明專利]有機(jī)發(fā)光器件及使用該有機(jī)發(fā)光器件的有機(jī)發(fā)光顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711472026.6 | 申請日: | 2017-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN108269938B | 公開(公告)日: | 2020-02-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 金錫顯;樸銀貞;金澔成 | 申請(專利權(quán))人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L27/32 |
| 代理公司: | 11127 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 李輝;劉久亮 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機(jī)發(fā)光器件 有機(jī)發(fā)光顯示裝置 堆疊體 發(fā)光層 電荷平衡 發(fā)光效率 均勻一致 使用壽命 發(fā)射 | ||
1.一種有機(jī)發(fā)光器件,該有機(jī)發(fā)光器件包括:
第一電極和第二電極,所述第一電極和所述第二電極彼此相對;
電荷產(chǎn)生層,所述電荷產(chǎn)生層被設(shè)置在所述第一電極與所述第二電極之間;
第一堆疊體,所述第一堆疊體被設(shè)置在所述第一電極與所述電荷產(chǎn)生層之間,所述第一堆疊體包括第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層和第一電子傳輸層;以及
第二堆疊體,所述第二堆疊體被設(shè)置在所述電荷產(chǎn)生層與所述第二電極之間,所述第二堆疊體包括第二空穴傳輸層、發(fā)射與所述第一發(fā)光層相同的顏色的光的第二發(fā)光層、以及第二電子傳輸層,其中,
所述第一電極是陽極,并且所述第二發(fā)光層的空穴傳輸速率高于所述第一發(fā)光層的空穴傳輸速率,使得所述第二發(fā)光層的發(fā)光區(qū)被維持而不隨著時間朝向所述電荷產(chǎn)生層移動。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件,其中,
所述第一發(fā)光層和所述第二發(fā)光層分別具有第一雙極性基質(zhì)和第二雙極性基質(zhì),并且
所述第二雙極性基質(zhì)的空穴遷移率高于所述第一雙極性基質(zhì)的空穴遷移率,和/或所述第二雙極性基質(zhì)的最高占用分子軌道HOMO能級低于所述第一雙極性基質(zhì)的HOMO能級。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光器件,其中,所述第二雙極性基質(zhì)的電子遷移率高于所述第一雙極性基質(zhì)的電子遷移率。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件,其中,
所述第一發(fā)光層具有第一空穴傳輸基質(zhì)和第一電子傳輸基質(zhì),并且
所述第二發(fā)光層具有第二空穴傳輸基質(zhì)和第二電子傳輸基質(zhì)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光器件,其中,
所述第一發(fā)光層的電子傳輸速率高于所述第二發(fā)光層的電子傳輸速率。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光器件,其中,
所述第二發(fā)光層中的所述第二空穴傳輸基質(zhì)的重量大于所述第一發(fā)光層中的所述第一空穴傳輸基質(zhì)的重量,并且
所述第一發(fā)光層中的所述第一電子傳輸基質(zhì)的重量大于所述第二發(fā)光層中的所述第二電子傳輸基質(zhì)的重量。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光器件,其中,
所述第一空穴傳輸基質(zhì)的空穴遷移率比所述第一電子傳輸基質(zhì)的空穴遷移率高至少10倍,并且
所述第一電子傳輸基質(zhì)的電子遷移率比所述第一空穴傳輸基質(zhì)的電子遷移率高至少10倍。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光器件,其中,
所述第二空穴傳輸基質(zhì)的空穴遷移率比所述第二電子傳輸基質(zhì)的空穴遷移率高至少10倍,并且
所述第二電子傳輸基質(zhì)的電子遷移率比所述第二空穴傳輸基質(zhì)的電子遷移率高至少10倍。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光器件,其中,
所述第二空穴傳輸基質(zhì)的空穴遷移率高于所述第一空穴傳輸基質(zhì)的空穴遷移率,并且
所述第一電子傳輸基質(zhì)的電子遷移率高于所述第二電子傳輸基質(zhì)的電子遷移率。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光器件,其中,
在所述第一發(fā)光層中,所述第一電子傳輸基質(zhì)的重量大于所述第一空穴傳輸基質(zhì)的重量,并且
在所述第二發(fā)光層中,所述第二空穴傳輸基質(zhì)的重量大于所述第二電子傳輸基質(zhì)的重量。
11.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置,該有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括根據(jù)權(quán)利要求1-10中的任一項所述的有機(jī)發(fā)光器件。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置,該有機(jī)發(fā)光顯示裝置還包括:
基板,所述基板具有多個子像素;以及
薄膜晶體管,所述薄膜晶體管被設(shè)置在所述基板上的至少一個所述子像素處,其中,
所述有機(jī)發(fā)光器件連接至所述薄膜晶體管。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
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