[發明專利]導電圖案和具有其的顯示裝置有效
| 申請號: | 201711471817.7 | 申請日: | 2017-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN108269810B | 公開(公告)日: | 2023-10-03 |
| 發明(設計)人: | 宋智勛;孫泫撤;慎鏞濟;趙耕勛;崔正培 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H10K59/131 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;薛義丹 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 導電 圖案 具有 顯示裝置 | ||
1.一種導電圖案,所述導電圖案包括:
有機絕緣層;
第一導電層,設置在所述有機絕緣層上并至少包括第一子導電層;以及
附加導電層,設置在所述有機絕緣層與所述第一導電層之間,或者設置在所述第一導電層上,
其中,所述附加導電層包括金屬氮化物。
2.根據權利要求1所述的導電圖案,其中,所述附加導電層是設置在所述有機絕緣層與所述第一導電層之間的第二導電層。
3.根據權利要求2所述的導電圖案,其中,所述第一導電層還包括設置在所述第二導電層與所述第一子導電層之間的第二子導電層,并且
所述第二導電層包括包含在所述第二子導電層中的材料的氮化物。
4.根據權利要求3所述的導電圖案,其中,所述第二子導電層包括鈦。
5.根據權利要求4所述的導電圖案,其中,所述第二導電層包括氮化鈦。
6.根據權利要求3所述的導電圖案,所述導電圖案還包括設置在所述第一子導電層上的第三子導電層,
其中,所述第三子導電層包括與所述第二子導電層相同的材料。
7.根據權利要求6所述的導電圖案,其中,所述第三子導電層包括鈦。
8.根據權利要求3所述的導電圖案,所述導電圖案還包括設置在所述第一子導電層上的第三導電層,
其中,所述第三導電層包括與所述第二導電層相同的材料。
9.根據權利要求8所述的導電圖案,其中,所述第二導電層包括氮化鈦。
10.根據權利要求2所述的導電圖案,所述導電圖案還包括設置在所述第一子導電層上的第三子導電層,
其中,所述第二導電層包括包含在所述第三子導電層中的材料的氮化物。
11.根據權利要求10所述的導電圖案,所述導電圖案還包括設置在所述第三子導電層上的第三導電層,
其中,所述第三導電層包括與所述第二導電層相同的材料。
12.根據權利要求2所述的導電圖案,所述導電圖案還包括設置在所述第一子導電層上的第三導電層,
其中,所述第三導電層包括金屬氮化物。
13.根據權利要求12所述的導電圖案,其中,所述第二導電層和所述第三導電層包括氮化鈦。
14.根據權利要求2所述的導電圖案,其中,所述第一子導電層包括金、銀、銅、鋁及其合金中的至少一種。
15.根據權利要求1所述的導電圖案,其中,所述附加導電層是設置在所述第一導電層上的第三導電層。
16.一種顯示裝置,所述顯示裝置包括:
基底,包括顯示區域和非顯示區域;
至少一個晶體管,設置在所述基底的所述顯示區域中;
第一絕緣層,覆蓋所述至少一個晶體管;
第一橋接圖案,設置在所述第一絕緣層上并連接到所述至少一個晶體管;
第二絕緣層,覆蓋所述第一橋接圖案并包括有機絕緣材料;
第二橋接圖案,設置在所述第二絕緣層上并連接到所述第一橋接圖案;以及
顯示元件,連接到所述第二橋接圖案,
其中,所述第二橋接圖案包括:第一導電層,至少包括第一子導電層;以及第二導電層,設置在所述第二絕緣層與所述第一導電層之間,其中,所述第二導電層包括金屬氮化物。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





