[發明專利]一種掩模板制作的優化設計方法在審
| 申請號: | 201711471168.0 | 申請日: | 2017-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN107885031A | 公開(公告)日: | 2018-04-06 |
| 發明(設計)人: | 李春蘭;李躍松;鄧振玉 | 申請(專利權)人: | 深圳清溢光電股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/76 | 分類號: | G03F1/76 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 模板 制作 優化 設計 方法 | ||
技術領域
本發明涉及掩模板生產技術領域,特別是指一種掩模板制作的優化設計方法。
背景技術
TFT LCD是薄膜晶體管液晶顯示器英文thin film transistor-liquid crystal display字頭的縮寫。TFT LCD技術是微電子技術與液晶顯示器技術巧妙結合的一種技術。人們利用在SI上進行微電子精細加工的技術,移植到在大面積玻璃上進行TFT陣列的加工,再將該陣列基板與另一片帶彩色濾色膜的基板,利用業已成熟的LCD技術,形成一個液晶盒相結合,再經過后工序如偏光片貼覆等過程,最后形成液晶顯示器。
掩模板是TFT LCD產品生產過程中的重要組成部件,其精度會影響到TFT LCD產品的精度。掩模板可經光透制成,光透制成的掩模板是刻有微電路的高精度版,由表面純平并帶有一層鉻的石英板或玻璃板制作而成,蝕刻后的殘留鉻部分即為設計的微電圖。為了獲得高精度的掩模板,圖1公開了現有技術中掩模板制作流程的一個實施例。在制作流程的眾多工序中,曝光是一個非常關鍵的工序,激光在對掩模板進行曝光前,曝光設備會對數據按照圖案形狀、設備光束數量及寬度進行X或Y方向劃分成相應的曝光條數,然后在曝光時會按照X或Y方向逐行逐條(逐列逐條)完成掃描曝光。圖2為掩模板上數據圖形的一個實施例,如圖3所示,曝光設備發出激光逐行對其進行掃描曝光,沿Y方向,曝光條數分別為第N條、第N+1條、第N+2條……,圖中相鄰曝光條數均存在重疊區域,比如第N條和第N+1條交接的兩條橫線之間即為重疊區域,第N+1條和第N+2條交接處兩條橫線之間也為重疊區域。在其他實施例中,掃描曝光也可能是沿Y方向自下而上進行,也可沿著X正半軸方向或X負半軸方向進行。處在重疊區域的數據圖形在曝光時會經過兩次掃描曝光,導致重疊區域的線條精度比掩模板其他區域的線條精度降低,致使整張掩模板的線條精度不一致,進而降低了TFT LCD產品的品質。
為了滿足TFT LCD產品對高品質高精度掩模板的需求,生產掩模板的曝光設備的各公司也研發出了更高端曝光設備,在曝光前,進一步對已經劃分好曝光條數的數據圖形進行再次掃描位置設定,使經過重新定位曝光開始掃描位置的每塊重疊區域在曝光時的能量保持一致。但是,重新劃分的重疊區域依然存在兩次掃描,重疊區域的線條精度依然會有變小的現象。
發明內容
本發明提出一種掩模板制作的優化設計方法,解決了現有技術中重疊區域經過兩次掃描導致掩模板上部分數據圖形線條精度降低的問題。
本發明的技術方案是這樣實現的:
一種掩模板制作的優化設計方法,適用于掩模板曝光工序,具體包括以下步驟:
曝光設備根據數據圖形、光束數量及光束掃描寬度進行X/Y方向劃分,計算出相應的曝光條數,獲取相鄰曝光條數重疊區域的位置以及重疊區域所對應的數據圖形;
根據重疊區域所對應的數據圖形再次設計增加數據圖案,以再次設計增加的數據圖案消弱或反補重疊區域的二次曝光能量。
進一步的,反補重疊區域的二次曝光能量具體包括以下步驟:
沿著重疊區域所對應的數據圖形的外邊緣向外延伸設計,反補二次曝光能量。
進一步的,消弱重疊區域的二次曝光能量具體包括以下步驟:
在二次曝光前,采用增加馬賽克圖案的再次設計方案對重疊區域所對應的數據圖形的邊緣附近進行部分遮蓋。
進一步的,消弱重疊區域的二次曝光能量具體包括以下步驟:
在二次曝光前,采用增加分段式圖案的再次設計方案對重疊區域所對應的數據圖形的邊緣附近進行部分遮蓋。
進一步的,數據圖案由若干圓形、長條形、方形、錐形、梯形、三角形和/或不規則形狀的單元圖形組合構成。
進一步的,任一單元圖形的圖形尺寸均小于曝光設備實際制作能力的圖形尺寸。
本發明的有益效果在于:針對重疊區域的數據圖形再次設計數據圖案,該數據圖案可以消弱或反補重疊區域二次曝光能量,從而可以提高重疊區域線條精度,使掩模板上圖形線條精度保持一致,整體均勻性比較好。
附圖說明
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動性的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為現有技術中掩模板制作流程一實施例的流程圖;
圖2為掩模板數據圖形的部分結構示意圖;
圖3為經過曝光條數劃分的掩模板的部分結構示意圖;
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





