[發明專利]多層壓電陶瓷執行器及其制備方法在審
| 申請號： | 201711470674.8 | 申請日： | 2017-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN109994597A | 公開（公告）日： | 2019-07-09 |
| 發明（設計）人： | 丁耀民;關勝 | 申請（專利權）人： | 蘇州攀特電陶科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L41/09 | 分類號： | H01L41/09;H01L41/083;H01L41/047 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 李佳 |
| 地址： | 215000 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 多層壓電陶瓷 外電極 絕緣層 壓電陶瓷 內電極 兩層 豎直 制備 壓電陶瓷元器件 平行間隔排布 交錯布置 制備過程 多層 出力 垂直 | ||
1.一種多層壓電陶瓷執行器，包括多層平行間隔排布的壓電陶瓷、設于相鄰兩層所述壓電陶瓷之間的內電極、兩個沿豎直方向分別設于多層所述壓電陶瓷兩側的外電極，其特征在于，所述內電極的一端與一個所述外電極接觸，另一端與另一個所述外電極之間設置有絕緣層，沿豎直方向相鄰兩層所述絕緣層交錯布置，沿著垂直于所述外電極的方向，所述絕緣層的寬度為10－100μm。
2.一種多層壓電陶瓷執行器的制備方法，其特征在于，包括：
交替堆疊壓電陶瓷和內電極以形成全電極陶瓷疊堆；
將所述全電極陶瓷疊堆進行燒結；
交錯刻蝕多個所述內電極的邊緣；
將絕緣層填充至所述內電極的刻蝕處；
向所述全電極陶瓷疊堆的兩側濺射外電極。
3.根據權利要求2所述的多層壓電陶瓷執行器的制備方法，其特征在于，交替堆疊所述壓電陶瓷和所述內電極以形成全電極陶瓷疊堆，包括：
將所述內電極印刷至所述壓電陶瓷的上表面或下表面以形成疊堆子單元；
將多個所述疊堆子單元堆疊形成所述全電極陶瓷疊堆。
4.根據權利要求3所述的多層壓電陶瓷執行器的制備方法，其特征在于，將所述內電極印刷至所述壓電陶瓷的上表面或下表面以形成疊堆子單元，包括：
所述內電極布滿所述壓電陶瓷的上表面或下表面。
5.根據權利要求2所述的多層壓電陶瓷執行器的制備方法，其特征在于，在將所述全電極陶瓷疊堆進行燒結之后、且在交錯刻蝕多個所述內電極的邊緣之前，還包括：
對燒結后的所述全電極陶瓷疊堆進行冷卻降溫。
6.根據權利要求2所述的多層壓電陶瓷執行器的制備方法，其特征在于，交錯刻蝕多個所述內電極的邊緣時，采用物理法或化學法進行刻蝕。
7.根據權利要求2所述的多層壓電陶瓷執行器的制備方法，其特征在于，所述絕緣層的材料為高分子材料或納米氧化鋁。
8.根據權利要求7所述的多層壓電陶瓷執行器的制備方法，其特征在于，當所述絕緣層的材料為高分子材料時，將所述絕緣層填充至所述內電極的刻蝕處，包括：
采用浸漬法或絲網印刷法將高分子材料侵入或印刷至所述內電極的刻蝕處，以形成所述絕緣層。
9.根據權利要求7所述的多層壓電陶瓷執行器的制備方法，其特征在于，當所述絕緣層的材料為納米氧化鋁時，將所述絕緣層填充至所述內電極的刻蝕處，包括：
采用離子噴涂法將納米氧化鋁噴涂至所述內電極的刻蝕處，以形成所述絕緣層。
10.根據權利要求2所述的多層壓電陶瓷執行器的制備方法，其特征在于，在將所述絕緣層填充至所述內電極的刻蝕處之后、且在向所述全電極陶瓷疊堆的兩側濺射所述外電極之前，還包括：
對填充完絕緣層的所述全電極陶瓷疊堆的外表面進行研磨。
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