[發(fā)明專利]量子點(diǎn)薄膜及其制備方法和QLED器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711470083.0
• 申請日: 2017-12-29
• 公開（公告）號: CN109988552A
• 公開（公告）日: 2019-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 程陸玲;楊一行
• 申請（專利權(quán)）人: TCL集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: C09K11/02
• 分類號: C09K11/02;C09K11/66;H01L51/50
• 代理公司: 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所 44237
• 代理人: 官建紅

1.一種量子點(diǎn)薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供第一量子點(diǎn)溶液，所述第一量子點(diǎn)溶液中含有表面結(jié)合有初始配體的量子點(diǎn)；

提供陰離子前驅(qū)體，將所述陰離子前驅(qū)體加入到所述第一量子點(diǎn)溶液中，進(jìn)行鈍化處理，得到第二量子點(diǎn)溶液；

提供硫醇配體，將所述硫醇配體加入到所述第二量子點(diǎn)溶液中，進(jìn)行表面配體交換，得到第三量子點(diǎn)溶液；

將所述第三量子點(diǎn)溶液沉積在基片上，得到所述量子點(diǎn)薄膜。

2.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述陰離子前驅(qū)體選自S-TOP、S-ODE、S-OA、TMS、S-TBP、Se-TOP、Se-ODE、Se-OA、Se-TBP、Te-TOP和Te-TBP中的至少一種；和/或

所述硫醇配體選自1-丙硫醇、1-丁硫醇、1-戊硫醇、1-己硫醇、1-庚硫醇、1-辛硫醇、1-癸硫醇、1-十一硫醇和1-十二硫醇中的至少一種；和/或

所述初始配體選自油酸、油胺、三辛基磷和三辛基氧磷中的至少一種。

3.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述鈍化處理的溫度為100-300℃；和/或

所述鈍化處理的時間為30-60min；和/或

所述表面配體交換的溫度為30-300℃；和/或

所述表面配體交換的時間為30-60min。

4.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，按所述陰離子前軀體與所述表面結(jié)合有初始配體的量子點(diǎn)的摩爾質(zhì)量比為(0.5-1mmol):100mg，將所述陰離子前驅(qū)體加入到所述第一量子點(diǎn)溶液中；和/或

按所述硫醇配體與所述表面結(jié)合有初始配體的量子點(diǎn)的摩爾質(zhì)量比為(0.01-0.2mmol):100mg，將所述硫醇配體加入到所述第二量子點(diǎn)溶液中。

5.如權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述陰離子前驅(qū)體的制備方法包括：

將非金屬單質(zhì)溶于有機(jī)溶劑中，在20-250℃的溫度條件下進(jìn)行加熱處理。

6.如權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述非金屬單質(zhì)選自S、Se和Te中的至少一種；和/或

所述有機(jī)溶劑選自TOP、ODE、OA和TBP中的至少一種。

7.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在將所述第三量子點(diǎn)溶液沉積在基片上之前，還包括將所述第三子點(diǎn)溶液進(jìn)行萃取分離的步驟。

8.一種量子點(diǎn)薄膜，含有量子點(diǎn)，其特征在于，所述量子點(diǎn)表面的結(jié)合有硫醇配體，且所述量子點(diǎn)表面還結(jié)合有陰離子。

9.如權(quán)利要求8所述的量子點(diǎn)薄膜，其特征在于，所述陰離子選自S^2-、Se^2-和Te^2-中的至少一種；和/或

所述硫醇配體選自1-丙硫醇、1-丁硫醇、1-戊硫醇、1-己硫醇、1-庚硫醇、1-辛硫醇、1-癸硫醇、1-十一硫醇和1-十二硫醇中的至少一種。

10.一種QLED器件，包括量子點(diǎn)發(fā)光層，其特征在于，所述量子點(diǎn)發(fā)光層為權(quán)利要求8或9所述的量子點(diǎn)薄膜或權(quán)利要求1-7任一項所述的制備方法制得的量子點(diǎn)薄膜。