[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件及其制作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711469225.1
• 申請(qǐng)日: 2017-12-29
• 公開（公告）號(hào): CN108022898A
• 公開（公告）日: 2018-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王之奇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州晶方半導(dǎo)體科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/488
• 分類號(hào): H01L23/488;H01L23/522;H01L21/60
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一基底，所述基底具有相對(duì)的正面以及背面，所述正面具有功能單元以及與所述功能單元連接的焊墊；

在所述基底的背面形成通孔，所述通孔露出所述焊墊；所述通孔為直孔；

形成第一絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋所述通孔的底部以及側(cè)壁，且覆蓋所述通孔外的所述基底的背面；

形成第二絕緣層，所述第二絕緣層覆蓋位于所述通孔外的所述第一絕緣層；

刻蝕去除所述通孔底部的所述第一絕緣層，露出所述焊墊。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，通過沉積工藝形成所述第一絕緣層，通過沉積工藝形成所述第二絕緣層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，沉積所述第一絕緣層的覆蓋率大于沉積所述第二絕緣層的覆蓋率，使得所述第一絕緣層覆蓋所述通孔的側(cè)壁以及底部，且覆蓋所述通孔外部的所述基底的背面，使得所述第二絕緣層僅覆蓋位于所述通孔外部的所述第一絕緣層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一絕緣層為二氧化硅層，所述第二絕緣層為氮化硅層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述通孔為圓孔或是方孔。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，通過干法刻蝕工藝或是濕法刻蝕工藝對(duì)所述第二絕緣層進(jìn)行刻蝕。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述基底為晶圓，所述晶圓包括多個(gè)芯片區(qū)域，相鄰所述芯片區(qū)域之間具有切割溝道，每個(gè)所述芯片區(qū)域均具有所述功能單元以及所述焊墊；

所述制作方法還包括：

完成刻蝕后，形成覆蓋所述第二絕緣層的再布線層，所述再布線層在所述通孔的底部與所述焊墊連接；

在所述再布線層的表面形成阻焊層，所述阻焊層位于所述通孔外的區(qū)域具有開口，用于露出所述再布線層；

在所述開口形成連接端，所述連接端與所述再布線層連接，用于連接外部電路；

基于所述切割溝道切割所述晶圓，形成多個(gè)單粒的半導(dǎo)體器件。

8.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件包括：

基底，所述基底包括相對(duì)的正面以及背面，所述正面具有功能單元以及與所述功能單元連接的焊墊；

位于所述基底的背面的通孔，所述通孔用于露出所述焊墊；所述通孔為直孔；

覆蓋所述基底的背面的第一絕緣層，所述第一絕緣層露出所述通孔底部的所述焊墊；

覆蓋所述第一絕緣層的第二絕緣層；

覆蓋所述第二絕緣層的再布線層，所述再布線層在所述通孔的底部與所述焊墊連接，所述再布線層延伸到所述通孔的外部；

覆蓋所述再布線層的阻焊層，所述阻焊層位于所述通孔外的區(qū)域具有開口，用于露出所述再布線層；

位于所述開口的連接端，所述連接端與所述再布線層連接，用于連接外部電路。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，通過沉積工藝形成所述第一絕緣層以及所述第二絕緣層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，沉積所述第一絕緣層的覆蓋率大于沉積所述第二絕緣層的覆蓋率。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一絕緣層為二氧化硅層，所述第二絕緣層為氮化硅層。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述通孔為圓孔或是方孔。

13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件為感光芯片、ASIC芯片或是MEMS芯片。