[發(fā)明專利]一種薄膜太陽能電池用封裝組件及其封裝方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711469006.3 | 申請日: | 2017-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN108054229A | 公開(公告)日: | 2018-05-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 彭壽;馬立云;潘錦功;殷新建;孫慶華;錢雙 | 申請(專利權(quán))人: | 成都中建材光電材料有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048 |
| 代理公司: | 成都市集智匯華知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 51237 | 代理人: | 李華;溫黎娟 |
| 地址: | 610000 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 薄膜 太陽能電池 封裝 組件 及其 方法 | ||
本發(fā)明公開一種薄膜太陽能電池用封裝組件的封裝方法,包括:1)在玻璃面板上邊緣位置設(shè)置邊緣密封膠層,所述玻璃面板上中心位置鋪設(shè)封裝膠膜,得到預制件;所述邊緣密封膠層形成回形結(jié)構(gòu),所述封裝膠膜位于所述回形結(jié)構(gòu)中間位置;2)將所述預制件依次經(jīng)第一段真空層壓操作,第二段真空層壓操作和冷卻段層壓操作,得到所述封裝組件;所述第一段真空層壓操作,所述第二段真空層壓操作和所述冷卻段層壓操作層壓溫度依次降低。所述封裝方法制備得到的封裝組件無氣泡,無溢膠,投射性好;無破裂,耐沖擊性佳,耐熱性佳。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明太陽能電池涉及技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及封裝組一種薄膜太陽能電池用封裝組件及其封裝方法。
背景技術(shù)
薄膜太陽能電池通常結(jié)構(gòu)包括:封裝組件和電池片。薄膜太陽能電池主要在戶外使用,封裝組件具備能夠保護薄膜太陽能電池的柔軟性,耐久性,尺寸穩(wěn)定性,阻燃性,絕緣性,水汽阻隔性的提點。但目前的封裝組件的耐沖擊性,在太陽能電池組件發(fā)熱時的耐熱性、使太陽能有效地射達電池片的高透射率均存在不足。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本申請?zhí)峁┝艘环N種薄膜太陽能電池用封裝組件及其封裝方法,所述封裝方法制備得到的封裝組件無氣泡,無溢膠,投射性好;無破裂,耐沖擊性佳,耐熱性佳。
為解決以上技術(shù)問題,本發(fā)明提供的技術(shù)方案是一種薄膜太陽能電池用封裝組件的封裝方法,包括:
1)在玻璃面板上邊緣位置設(shè)置邊緣密封膠層,所述玻璃面板上中心位置鋪設(shè)封裝膠膜,得到預制件;所述邊緣密封膠層形成回形結(jié)構(gòu),所述封裝膠膜位于所述回形結(jié)構(gòu)中間位置;
2)將所述預制件依次經(jīng)第一段真空層壓操作,第二段真空層壓操作和冷卻段層壓操作,得到所述封裝組件;所述第一段真空層壓操作,所述第二段真空層壓操作和所述冷卻段層壓操作層壓溫度依次降低。
優(yōu)選的,所述邊緣密封膠層外圍與所述玻璃面板邊緣距離為1~2mm;所述邊緣密封膠層內(nèi)圍與所述封裝膠膜邊緣距離為3mm~5mm。
優(yōu)選的,所述邊緣密封膠層為膠丁基膠層。
優(yōu)選的,所述回形結(jié)構(gòu)單邊寬度為7mm。
優(yōu)選的,所述邊緣密封層厚度為0.75mm
優(yōu)選的,所述封裝膠膜為熱塑形PO膜。
優(yōu)選的,所述封裝膠膜厚度為0.6mm。
優(yōu)選的,所述封裝膠膜克重為450g/㎡。
優(yōu)選的,所述第一段真空層壓操作層壓溫度為150~160℃;所述第二段真空層壓操作層壓溫度為80~120℃;所述冷卻段層壓操作層壓溫度為25℃。
優(yōu)選的,所述第一段真空層壓操作抽真空時間為3min~4min,所述第二段真空層壓操作抽真空時間為1min~2min。
優(yōu)選的,所述第一段真空層壓操作層壓時間為7min~13min;所述第二段真空層壓操作層壓時間為9min~11min;所述冷卻段層壓操作層壓時間為5min。
優(yōu)選的,所述第一段真空層壓操作層壓壓力為60Kpa;所述第二段真空層壓操作層壓壓力為90Kpa;所述冷卻段層壓操作層壓壓力為60Kpa。
本發(fā)明還提供了一種薄膜太陽能電池用封裝組件,由上述封裝制備得到。
優(yōu)選的,上述薄膜太陽能電池為碲化鎘薄膜太陽能電池。
本申請與現(xiàn)有技術(shù)相比,其詳細說明如下:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





