[發明專利]用于制造半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201711466698.6
• 申請日: 2013-09-03
• 公開（公告）號: CN108198817B
• 公開（公告）日: 2021-12-24
• 發明（設計）人: 三原竜善
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11568
• 分類號: H01L27/11568
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 申發振

1.一種半導體器件，包括：

(a)半導體基板；

(b)形成于所述半導體基板上的電容元件，

所述電容元件包括：

(b1)形成于所述半導體基板上的第一導體膜，所述第一導體膜具有沿第一方向延伸的第一部分和沿第二方向延伸并連接至所述第一部分的多個第二部分，其中所述第二方向與所述第一方向交叉；

(b2)形成于所述半導體基板上的第二導體膜，所述第二導體膜埋置于彼此相鄰布置的所述第二部分之間；和

(b3)形成于所述半導體基板上的第一絕緣膜，所述第一絕緣膜布置于所述第一導體膜和所述第二導體膜之間，使得所述第一導體膜和所述第二導體膜之間彼此絕緣，

其中所述半導體器件還包括第三導體膜，所述第三導體膜由與所述第一導體膜相同的層形成并與所述第一導體膜分離，

所述第二導體膜還具有圍繞所述第三導體膜的第五部分，并且所述半導體器件還包括第一插頭，所述第一插頭形成于所述第二導體膜和所述第三導體膜二者之上并電耦合至所述第二導體膜。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中所述第一導體膜的所述多個第二部分包括至少三個第二部分，并且

所述第二導體膜具有沿所述第一方向延伸的第三部分和沿所述第二方向延伸并連接至所述第三部分的多個第四部分。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中所述第一絕緣膜包括第一氧化硅膜、氮化硅膜和第二氧化硅膜。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中所述半導體器件還包括形成于所述半導體基板上的元件隔離區，并且

所述電容元件形成于所述元件隔離區上。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中所述第二導體膜不具有比所述第一導體膜高的部分。

6.一種用于制造半導體器件的方法，包括以下步驟：

(a)提供半導體基板，所述半導體基板具有主表面，所述主表面包括用于存儲單元的MISFET的第一區域和用于電容性元件的第二區域；

(b)經由第一絕緣膜在所述半導體基板的主表面上的所述第一區域和第二區域中形成第一導體膜；

(c)在步驟(b)之后，圖形化所述第一導體膜以在所述第一區域中形成所述MISFET的第一柵電極，在所述第二區域中形成所述電容性元件的第一電極，并且形成與第一電極分離的第三圖案，所述第一電極具有在截面圖中彼此相對的第一圖形和第二圖形；

(d)在步驟(c)之后，形成第二絕緣膜以覆蓋所述MISFET的第一柵電極的側表面以及所述第一電極的第一圖形和第二圖形的側表面；

(e)在步驟(d)之后，在所述半導體基板的主表面上的所述第一區域和第二區域中形成第二導體膜，由此在所述第二絕緣膜的表面上形成所述MISFET的第二柵電極，并且在截面圖中處于具有所述第二絕緣膜的所述第一圖形和第二圖形之間的空間處形成所述電容性元件的第二電極，所述第二電極圍繞所述第三圖案；以及

(g)在步驟(e)之后，形成第一插頭，所述第一插頭形成于所述第二電極和所述第三圖案二者之上并電耦合至所述第二電極。

7.根據權利要求6所述的用于制造半導體器件的方法，還包括以下步驟：

(f)在步驟(e)之后，去除所述第一區域中的所述第一柵電極上的所述第二導體膜和所述第二區域中的所述第一電極，并留下所述第二導體膜與所述第二絕緣膜以填充截面圖中處于所述第一圖形和第二圖形之間的空間。

8.根據權利要求6所述的用于制造半導體器件的方法，

其中在步驟(d)中，所述第二絕緣膜包括第一氧化硅膜、氮化硅膜和第二氧化硅膜，并且

所述氮化硅膜形成于所述第一氧化硅膜和所述第二氧化硅膜之間。

9.根據權利要求7所述的用于制造半導體器件的方法，

其中在步驟(b)中，在所述第一區域和所述第二區域中在所述第一導體膜上形成第三絕緣膜。