[發明專利]一種高頻快恢復二極管及其制造方法

有效

• 申請號: 201711465726.2
• 申請日: 2017-12-28
• 公開（公告）號: CN108183135B
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發明（設計）人: 王興龍;王利軍;鄧令;劉章利
• 申請（專利權）人: 重慶平偉伏特集成電路封測應用產業研究院有限公司
• 主分類號: H01L29/868
• 分類號: H01L29/868;H01L21/329;H01L29/06
• 代理公司: 重慶市前沿專利事務所(普通合伙) 50211
• 代理人: 顧曉玲

1.一種高頻快恢復二極管，其特征在于，包括襯底層，在襯底層上設置有與襯底層導電類型相同的外延層，在外延層上設置有M個擴散環，所述擴散環的導電類型與外延層的導電類型相反，所述M為不小于3的正整數，

當M＝3時，所述擴散環包括BSIT結構擴散環，

當M≠3時，包括BSIT結構擴散環，或包括BSIT結構擴散環和增壓環，且BSIT結構擴散環和增壓環之間有各種組合方式；

在同一BSIT結構擴散環的相鄰環之間的外延層上設置有與外延層導電類型相同的摻雜層，所述摻雜層橫向延伸入相應擴散環內部一定距離，在所述摻雜層之上設置有第一金屬層形成肖特基勢壘；

在形成的器件表面墊積絕緣保護層，所述絕緣保護層上設置有貫通至第一金屬層和擴散環的金屬接觸孔，在所述絕緣保護層上設置有正面金屬層；

在所述襯底層之下設置有背面金屬層。

2.根據權利要求1所述的高頻快恢復二極管，其特征在于，所述M＝7。

3.根據權利要求1所述的高頻快恢復二極管，其特征在于，擴散環的參數：長度為10um、深度為20～22um、濃度為5～7×10¹⁶cm^-3。

4.根據權利要求1所述的高頻快恢復二極管 ，其特征在于，摻雜層的參數：深度為1～2um，寬度為4～5um，濃度為5～7×10¹⁶cm^-3。

5.根據權利要求1所述的高頻快恢復二極管，其特征在于，增壓環之間或增壓環與BSIT結構擴散環之間距離為11um。

6.根據權利要求1所述的高頻快恢復二極管，其特征在于，同一BSIT結構擴散環的相鄰環之間距離為3～4um。

7.根據權利要求1所述的高頻快恢復二極管的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1，在襯底層上制備與襯底層導電類型相同的外延層；

S2，在外延層通過擴散形成M個與外延層導電類型相反的擴散環，所述M為不小于3的正整數，

當M＝3時，所述擴散環包括BSIT結構擴散環，

當M≠3時，包括BSIT結構擴散環，或包括BSIT結構擴散環和增壓環，且BSIT結構擴散環和增壓環之間有各種組合方式；

S3，在同一BSIT結構擴散環的相鄰環之間的外延層上設置有與外延層導電類型相同的摻雜層，所述摻雜層橫向延伸入相應擴散環內部一定距離；

S4，在所述摻雜層之上設置第一金屬層形成肖特基勢壘，在形成的器件表面墊積絕緣保護層，所述絕緣保護層上設置有貫通至第一金屬層和擴散環的金屬接觸孔，在所述絕緣保護層上設置有正面金屬層；

S5，根據封裝形式的要求進行相應的背面減薄；

S6，對襯底下表面金屬化。