[發明專利]補償正B積分相移的裝置與方法在審
| 申請號： | 201711465687.6 | 申請日： | 2017-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN107968307A | 公開（公告）日： | 2018-04-27 |
| 發明（設計）人： | 陳檬;呂思奇 | 申請（專利權）人： | 北京工業大學 |
| 主分類號： | H01S3/00 | 分類號： | H01S3/00 |
| 代理公司： | 北京匯信合知識產權代理有限公司11335 | 代理人： | 夏靜潔 |
| 地址： | 100124 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 補償 積分 相移 裝置 方法 | ||
1.一種補償正B積分相移的裝置，其特征在于，包括以光線傳播方向依次放置的光處理組件、光補償組件和結果檢測組件，所述光補償組件與其安裝位為可拆卸連接；
所述光處理組件的光學元件包括：以光線傳播方向依次放置的再生光源和擴束系統；
所述光補償組件的光學元件包括：以光線傳播方向依次放置的補償薄片和縮束系統，所述補償薄片為具有負非線性折射系數的補償薄片；
所述結果檢測組件的光學元件包括：以光線傳播方向依次放置放大級模塊、衰減器和感光元件。
2.如權利要求1所述的補償正B積分相移的裝置，其特征在于，所述再生光源采用1064nm波長的皮秒脈沖激光。
3.如權利要求1所述的補償正B積分相移的裝置，其特征在于，所述擴束系統包括一個輸入的凹透鏡和一個輸出的凸透鏡，且凸透鏡的焦距大于凹透鏡的焦距。
4.如權利要求1所述的補償正B積分相移的裝置，其特征在于，所述補償薄片的補償材料為具有負非線性折射系數的砷化鎵材料。
5.如權利要求1所述的補償正B積分相移的裝置，其特征在于，所述補償薄片的補償厚度取決于補償材料的負非線性折射率系數大小、放大級模塊中固體增益介質的正非線性折射率系數大小及介質長度。
6.如權利要求1所述的補償正B積分相移的裝置，其特征在于，所述縮束系統包括一個輸入的凸透鏡和一個輸出的凹透鏡，且凸透鏡的焦距大于凹透鏡的焦距。
7.如權利要求1所述的補償正B積分相移的裝置，其特征在于，所述放大級模塊為Nd：YAG放大模塊。
8.如權利要求1所述的補償正B積分相移的裝置，其特征在于，所述感光元件為CCD圖像傳感器。
9.一種補償正B積分相移的補償方法，其特征在于，包括：
步驟1、再生光源射出脈沖激光，并通過擴束系統使激光光斑擴大并平行出射；
步驟2、水平出射光進入補償薄片獲得具有負B積分相移的激光；
步驟3、出射光通過縮束系統使激光光斑縮小并平行出射；
步驟4、帶有負B積分相移的激光通入放大級模塊后抵消掉增益介質產生的正B積分相移，用感光元件觀察，觀察是否獲得均勻的光斑并記錄；
步驟5、拆卸補償薄片；重復步驟4，對比拆卸補償薄片前后光斑的變化。
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