[發明專利]耐沖擊減震結構及電子裝置有效
| 申請號： | 201711465216.5 | 申請日： | 2017-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN109390288B | 公開（公告）日： | 2022-01-28 |
| 發明（設計）人： | 莊瑞彰;蔡鎮竹;張凱銘;張志嘉;鄭莛薰 | 申請（專利權）人： | 財團法人工業技術研究院;創智智權管理顧問股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/00 | 分類號： | H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 陳小雯 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 沖擊 減震 結構 電子 裝置 | ||
1.一種耐沖擊減震結構，適用于電子元件，其特征在于，該耐沖擊減震結構包括：
阻抗疊層，配置于所述電子元件的第一表面上；以及
緩沖疊層，配置于所述電子元件的第二表面上，其中所述第二表面與所述第一表面相對應，所述緩沖疊層包括：
軟膜層；以及
支撐層，所述支撐層的楊氏系數大于所述軟膜層的楊氏系數，
其中所述支撐層為多數層，且所述軟膜層為多數層，沿著所述電子元件的所述第二表面的法線方向以互相交替的方式形成堆疊結構，其中堆疊層數大于2，距離所述電子元件最遠者為所述軟膜層，最靠近者為所述支撐層。
2.一種耐沖擊減震結構，適用于電子元件，其特征在于，該耐沖擊減震結構包括：
阻抗疊層，配置于所述電子元件的第一表面上；以及
緩沖疊層，配置于所述電子元件的第二表面上，其中所述第二表面與所述第一表面相對應，所述緩沖疊層包括：
軟膜層；以及
支撐層，所述支撐層的楊氏系數大于所述軟膜層的楊氏系數，
其中所述軟膜層包括兩種不同的材料，
其中所述軟膜層包括：
圖案化的第一軟膜層，其具有多個開口；以及
第二軟膜層，配置于所述圖案化的第一軟膜層的所述多個開口中。
3.如權利要求1或2所述的耐沖擊減震結構，其中所述阻抗疊層的楊氏系數介于1至60GPa；所述軟膜層的楊氏系數介于0.05至1GPa；所述支撐層的楊氏系數介于50至300GPa。
4.如權利要求1或2所述的耐沖擊減震結構，其中所述阻抗疊層包括有機材料與無機材料的復合材料。
5.如權利要求1或2所述的耐沖擊減震結構，其中所述阻抗疊層包括有機材料制成的防刮耐磨保護層。
6.如權利要求5所述的耐沖擊減震結構，其中所述阻抗疊層包括：
圖案化硬質涂層，配置于所述防刮耐磨保護層上方；以及
軟性物質，配置于所述圖案化硬質涂層的多個開口中。
7.如權利要求6所述的耐沖擊減震結構，其中所述阻抗疊層還包括硬質支撐層，配置于所述圖案化硬質涂層與所述防刮耐磨保護層之間。
8.如權利要求1或2所述的耐沖擊減震結構，其中所述阻抗疊層與所述電子元件之間包括光學層。
9.如權利要求8所述的耐沖擊減震結構，其中所述光學層包括黑色濾光層或彩色濾光層。
10.一種耐沖擊減震結構，適用于電子元件，其中所述電子元件具有第一表面以及與所述第一表面相對應的第二表面，其特征在于，所述耐沖擊減震結構包括：
緩沖疊層，配置于所述電子元件的所述第二表面上，所述緩沖疊層包括：
軟膜層；以及
支撐層，所述支撐層的楊氏系數大于所述軟膜層的楊氏系數，
其中所述支撐層為多數層，且所述軟膜層為多數層，沿著所述電子元件的所述第二表面的法線方向以互相交替的方式形成堆疊結構，其中堆疊層數大于2，距離所述電子元件最遠者為所述軟膜層，最靠近者為所述支撐層。
11.如權利要求1或10所述的耐沖擊減震結構，其中所述堆疊結構中，所述軟膜層楊氏系數或厚度數值隨著與所述電子元件之間的距離的增加而逐漸增加或減少，所述支撐層的楊氏系數或厚度數值隨著與所述電子元件之間的距離的增加而逐漸增加或減少。
12.如權利要求11所述的耐沖擊減震結構，其中所述堆疊結構的最接近所述電子元件的所述支撐層包覆流體。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于財團法人工業技術研究院;創智智權管理顧問股份有限公司，未經財團法人工業技術研究院;創智智權管理顧問股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711465216.5/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：半導體元件結構及其制造方法
- 下一篇：一種具有導熱效果的IC封裝制造工藝
