[發(fā)明專利]一種量子點(diǎn)太陽能電池及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711464902.0
• 申請(qǐng)日: 2017-12-28
• 公開（公告）號(hào): CN108172690A
• 公開（公告）日: 2018-06-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬萬里;凌旭峰;袁建宇;李方超
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L51/46
• 分類號(hào): H01L51/46;H01L51/42;H01L51/48;B82Y30/00
• 代理公司: 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 32103
• 代理人: 陶海鋒

1.一種量子點(diǎn)太陽能電池，包括玻璃基底（1），陰極（2），電子傳輸層（3），量子點(diǎn)吸光層（4），空穴傳輸層（5）和陽極（6），其特征在于：所述的量子點(diǎn)吸光層（4）為立方相鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的CsPbI₃薄膜，CsPbI₃量子點(diǎn)的尺寸為1～20納米，薄膜厚度為20～800納米；所述的空穴傳輸層（5）為有機(jī)共軛聚合物薄膜，薄膜厚度為10～200納米；所述的有機(jī)共軛聚合物為P3HT、PTB7、PTB7-Th中的一種。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種量子點(diǎn)太陽能電池，其特征在于：所述的電子傳輸層（3）為二氧化鈦或二氧化錫薄膜。

3.如權(quán)利要求1所述的一種量子點(diǎn)太陽能電池的制備方法，其特征在于包括如下步驟：

（1）在陰極基底上制備電子傳輸層；

（2）空氣或氮?dú)夥諊?，在電子傳輸層上逐層旋涂濃度?～90毫克每毫升的CsPbI₃量子點(diǎn)溶液，旋涂轉(zhuǎn)速為500～8000轉(zhuǎn)每分鐘，形成厚度為20～800納米的量子點(diǎn)薄膜，再用鉛源溶液處理薄膜表面，退火處理后，得到吸光層；

（3）空氣或氮?dú)夥諊?，在吸光層上旋涂濃度?～50毫克每毫升的有機(jī)共軛聚合物溶液，溶液中的有機(jī)共軛聚合物為P3HT 、PTB7或PTB7-Th中的一種，溶劑為氯苯，二氯苯，三氯甲烷或甲苯中的一種，旋涂轉(zhuǎn)速為500～8000轉(zhuǎn)每分鐘；再在溫度為25～200℃的條件下退火處理0～120分鐘，制備得到厚度為10～200納米的空穴傳輸層；

（4）在空穴傳輸層上制備金屬陽極，得到量子點(diǎn)太陽能電池。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種量子點(diǎn)太陽能電池的制備方法，其特征在于：步驟（1）中采用化學(xué)浴沉積方法制備厚度為10～120納米的二氧化鈦薄膜，作為電子傳輸層。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種量子點(diǎn)太陽能電池的制備方法，其特征在于：步驟（1）中采用旋涂法制備厚度為10～120納米的二氧化錫薄膜，作為電子傳輸層。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種量子點(diǎn)太陽能電池的制備方法，其特征在于：步驟（2）中量子點(diǎn)溶液的旋涂層數(shù)為1～10層，退火溫度為25～350℃。