[發明專利]一種大面積柔性疏水多孔硅膜的制備方法有效
| 申請號： | 201711464718.6 | 申請日： | 2017-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN108314993B | 公開（公告）日： | 2020-10-02 |
| 發明（設計）人： | 金名亮;盧涵;水玲玲;周國富 | 申請（專利權）人： | 肇慶市華師大光電產業研究院 |
| 主分類號： | C09K3/18 | 分類號： | C09K3/18;C23F1/24;C23F1/02;C23C30/00 |
| 代理公司： | 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102 | 代理人： | 陳衛 |
| 地址： | 526040 廣東省肇慶市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 大面積 柔性 疏水 多孔 制備 方法 | ||
1.一種大面積柔性疏水多孔硅膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1.在4英寸(100)晶向的單晶硅片上旋涂一層光刻膠；
S2.通過光刻技術利用掩膜在此硅片上制備光刻膠圖形陣列；
S3.在制備的光刻膠圖形陣列表面鍍一層金屬膜；
S4.移除光刻膠和鍍在光刻膠上的金屬膜，得到帶有金屬網格圖形的單晶硅片；
S5.將帶有金屬網格圖形的單晶硅片放入氫氟酸和雙氧水的混合溶液中進行金屬輔助蝕刻，形成多孔硅膜，所述氫氟酸的濃度為1～50wt％，雙氧水的濃度為1～33wt％，步驟S5中所述氫氟酸和雙氧水的體積比為1:100～100:1，蝕刻時間為1～120min；
S6.將多孔硅膜沖洗干凈，干燥，使得多孔硅膜自行剝離；
S7.用有粘性的柔性基底粘附多孔硅膜，得到大面積柔性疏水多孔硅膜；
其中，所述單晶硅片電阻率為0.001～0.005Ω·cm。
2.根據權利要求1所述大面積柔性疏水多孔硅膜的制備方法，其特征在于，步驟S2中所述圖形陣列圖形長度為1～500μm，圖形之間的中心距為2～1000μm。
3.根據權利要求2所述大面積柔性疏水多孔硅膜的制備方法，其特征在于，步驟S2中所述圖形陣列圖形長度為15～150μm，圖形之間的中心距為2～10μm。
4.根據權利要求1所述大面積柔性疏水多孔硅膜的制備方法，其特征在于，步驟S3中所述金屬膜為Au或Ag中的任意一種或者兩者的混合物。
5.根據權利要求1所述大面積柔性疏水多孔硅膜的制備方法，其特征在于，步驟S3中所述金屬膜厚度為5～200nm。
6.根據權利要求1所述大面積柔性疏水多孔硅膜的制備方法，其特征在于，步驟S5中所述氫氟酸和雙氧水的體積比為1:10～10:1，蝕刻時間為1～120min。
7.權利要求1～6任一所述制備方法制備的大面積柔性疏水多孔硅膜。
8.權利要求7所述大面積柔性疏水多孔硅膜作為疏水材料的應用。
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