[發(fā)明專利]一種輸入對電流切換控制電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711464540.5 | 申請日: | 2017-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN109981054B | 公開(公告)日: | 2023-08-15 |
| 發(fā)明(設計)人: | 滿雪成;林毅竟 | 申請(專利權)人: | 圣邦微電子(北京)股份有限公司 |
| 主分類號: | H03F1/02 | 分類號: | H03F1/02;H03F1/52;H03F3/45 |
| 代理公司: | 北京海虹嘉誠知識產(chǎn)權代理有限公司 11129 | 代理人: | 吳小燦 |
| 地址: | 100089 北京市海淀*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 輸入 電流 切換 控制電路 | ||
1.一種輸入對電流切換控制電路,其特征在于,包括主輸入對和輔輸入對,所述主輸入對輸出主差分對第一電流和主差分對第二電流,所述輔輸入對輸出輔差分對第一電流和輔差分對第二電流,所述主輸入對連接電壓超前感知通路,所述電壓超前感知通路通過第一電流鏡連接所述輔輸入對,電流切換控制開關通過第二電流鏡連接所述輔輸入對,所述電流切換控制開關和所述主輸入對均連接第二電流源,所述電壓超前感知通路連接第三電流源,所述電流切換控制開關連接第一電流源即電流滯后補償電流源,只有當所述第二電流源流過所述電流切換控制開關的電流大于所述第一電流源即電流滯后補償電流源提供的電流時,多余的電流才會經(jīng)過所述第二電流鏡給所述輔輸入對,使主差分對輸出電流被切換成輔差分對輸出電流。
2.根據(jù)權利要求1所述的輸入對電流切換控制電路,其特征在于,所述主輸入對采用NMOS輸入對或PMOS輸入對或NPN輸入對或PNP輸入對或JFET輸入對,所述輔輸入對采用NMOS輸入對或PMOS輸入對或NPN輸入對或PNP輸入對或JFET輸入對。
3.根據(jù)權利要求1所述的輸入對電流切換控制電路,其特征在于,所述第一電流源即電流滯后補償電流源、所述第二電流源和所述第三電流源均采用NMOS、PMOS、NPN、PNP和/或JFET器件。
4.根據(jù)權利要求1所述的輸入對電流切換控制電路,其特征在于,所述電流切換控制開關采用NMOS或PMOS器件。
5.根據(jù)權利要求1所述的輸入對電流切換控制電路,其特征在于,所述主輸入對包括源極互連的第一NMOS管和第二NMOS管,所述第一NMOS管的漏極輸出主差分對第一電流,所述第二NMOS管的漏極輸出主差分對第二電流,所述第二NMOS管的柵極連接放大器負輸入端,所述第一NMOS管的柵極連接放大器正輸入端,所述電壓超前感知通路包括源極互連的第七NMOS管和第八NMOS管,所述第八NMOS管的柵極連接所述第一NMOS管的柵極,所述第八NMOS管的漏極連接工作電壓端,所述第七NMOS管的漏極連接所述第一電流鏡,所述第七NMOS管的柵極連接閾值電壓端,所述第七NMOS管的源極連接所述第三電流源,所述電流切換控制開關為第三NMOS管,所述第三NMOS管的柵極連接閾值電壓端,所述第三NMOS管的源極連接所述第二電流源,所述第三NMOS管的漏極連接所述第一電流源即電流滯后補償電流源,所述輔輸入對包括源極互連的第四PMOS管和第五PMOS管,所述第四PMOS管的漏極輸出輔差分對第一電流,所述第五PMOS管的漏極輸出輔差分對第二電流,所述第四PMOS管的柵極連接放大器正輸入端,所述第五PMOS管的柵極連接放大器負輸入端,所述第四PMOS管的源極連接所述第一電流鏡。
6.根據(jù)權利要求5所述的輸入對電流切換控制電路,其特征在于,所述第一電流源即電流滯后補償電流源包括第二十五PMOS管和第二十六PMOS管,所述第二十五PMOS管的源極連接工作電壓端,所述第二十五PMOS管的漏極連接所述第二十六PMOS管的源極,所述第二十五PMOS管的柵極連接第一偏置電壓端,所述第二十六PMOS管的漏極連接所述第三NMOS管的漏極,所述第二十六PMOS管的柵極連接第二偏置電壓端。
7.根據(jù)權利要求6所述的輸入對電流切換控制電路,其特征在于,所述第二電流源包括第十二NMOS管和第十四NMOS管,所述第十四NMOS管的漏極連接所述第三NMOS管的源極,所述第十四NMOS管的柵極連接第三偏置電壓端,所述第十四NMOS管的源極連接所述第十二NMOS管的漏極,所述第十二NMOS管的源極接地,所述第十二NMOS管的柵極連接第四偏置電壓端。
8.根據(jù)權利要求7所述的輸入對電流切換控制電路,其特征在于,所述第三電流源包括第十一NMOS管和第十三NMOS管,所述第十三NMOS管的漏極連接所述第七NMOS管的源極,所述第十三NMOS管的柵極連接第三偏置電壓端,所述第十三NMOS管的源極連接所述第十一NMOS管的漏極,所述第十一NMOS管的源極接地,所述第十一NMOS管的柵極連接第四偏置電壓端。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于圣邦微電子(北京)股份有限公司,未經(jīng)圣邦微電子(北京)股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711464540.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:用于音頻放大器的瞬時噪聲抑制方法
- 下一篇:一種分路諧波控制電路





